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掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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掺! 对#$%$ 薄膜热稳定性的改善
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黄 伟 张利春 高玉芝 金海岩
(北京大学微电子研究院,北京 ##$%)
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
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报导了在镍薄膜中掺入少量 提高了镍硅化物的热稳定性 结果表明,经 — 快速热退火形成的
*+ , -.# $##/ 01
( ) 硅化物薄膜电阻值较低,约为 ( ) 分析表明薄膜中只存在 相,而没有 生成 由吉布斯
*+ 21 ,’ 3 , 456 0121 0121 ,
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自由能理论分析表明在 薄膜中掺人 对改善 硅化物热稳定性起到至关重要的作用 经 — 快
01 . ,) 7 *+ 01 , -.# $##/
速热退火后的 ( ) 肖特基二极管电学特性良好,势垒高度 为 — ,理想因子接近于 ,更进一
01 *+ 213 21 ! # , -’ # , --9:
8
步证明掺少量的 能够改善 薄膜的热稳定性
*+ 0121 ,
关键词:镍硅化物,快速热退火, 射线衍射分析,卢瑟福背散射
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金属夹层结构 对样品在
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