多步磁控溅射法制备ZnO薄膜.pdfVIP

第3 2 卷第4 期 压 　电　与 　声 　光 Vol . 32 No . 4 2 0 10 年8 月 PIEZO EL EC TR ICS A COU STOO P TICS Aug . 20 10 　　文章编号 (20 10) 04063 103 多步磁控溅射法制备 ZnO 薄膜 马 　季 ,朱兴文 ,徐 　琼 ,张 　芳 (上海大学 材料科学与工程学院 ,上海 200072) 　　摘 　要 :实验采用射频磁控溅射法 ,通过多次短时沉积和热处理工艺 , 以玻璃为衬底在不同射频功率下制备了 ZnO 薄膜 ,探讨了射频功率对薄膜结构 、光及电性能等方面的影响 。结果表明 ,在低于 300 W 的功率下 ,采用多步 法制备的薄膜表面平整致密 ,晶粒均匀 ,具有 良好的 c 轴定向。且薄膜的可见光透过率在 80 % 以上 , 电阻率达到 1010 Ω ·cm 。 ( ) 关键词 :ZnO 薄膜 ;多步法 ;射频 RF 磁控溅射法 ;c 轴定向 中图分类号 : TN 804 ;O484 . 1 　　　文献标识码 :A Preparation of ZnO Thin Fil ms by Multistepped RF Magnetron Sputtering Method MA Ji , ZHU Xingwen , XU Qiong , ZHANG Fang ( School of Mat erial s Science and Engineering ,Shanghai U niver sit y , Shanghai 200072 ,China) 　　Abstract : ZnO t hin film s were depo sit ed on gla ss sub st rat e by multist epp ed RF magnet ron sp utt ering . The effect s of RF power on t he micro st ruct ures , elect rical and op tical p rop erties of t he films were st udied . The result s showed t hat t he caxi s orient ed ZnO films wit h smoot h surface , den se and uniform grain s were obt ained when t he RF power was less t han 300 W . Meanwhile ,t he t ran smitt ance and t he resi stivit y of t he film s i s a s high as 80 % and 1010 Ω ·cm ,resp ectively . Key words :ZnO t hin film ;multist epp ed met ho d ;RF magnet ron sp ut t ering ;caxi s orient ed 　 　　多步制膜法是指采用分步磁控溅射和热处理的 100 W 、200 W 、300 W 、400 W 和 500 W , 沉 积 方法 。每次沉积较短时间后 ,薄层立即进行高温热