第4章光伏探测器-国防科学技术大学.PDF

第4 章 光伏探测器 利用半导体光伏效应制作的器件称为光伏探测器，简称 PV （Photovoltaic ）探测器，也称 结型光电器件。这类器件品种很多，但它们的原理都是相同的，所以在性质上也有许多相近 的地方。本章着重分析和讨论光电池、光电二极管和光电三极管等几个典型器件的结构原理 性能特点，介绍 PIN 光电二极管、雪崩光电二极管（APD ）、光电耦合器等一些特殊结构的 光伏探测器。 4.1 光伏探测器的工作原理及特性 材 所有光伏探测器都具有 PN 结，因而它们有着共同的原理特性；但每一种器件的结构不 教 同，又具有各自的不同特性。本节介绍它们的共同原理特性，后面各节分别介绍典型器件的 性能特点。 子 1. 光照下的PN 结电流方程及伏安特性 由 1.3.1 节式（1-58）可知，当光伏探测器受光照时，流经PN 结外电路的总电流为 eU / kT 电 I I e =−1 −I I =−I （4-1 ） 0 ( ) p d p 式中， 学 I I eeU / kT −1 （4-2 ） d 0 ( ) 大 为无光照时流过 PN 结的电流，称为暗电流。式（4-2 ）表明，暗电流的大小与偏压 U、温度 T 及反向饱和电流 I0 密切相关，这就为减小暗电流的数值提供了理论依据。 由于I 与光照有关，并随光照的增大而增大。因此，I 可表示为 I ＝SE ，式中 S 为光电 p 技 p p 灵敏度，E 为辐射照度。所以，式（4-1 ）可改写为 I I eeU / kT =−1 −SE （4-3 ） 科 0 ( ) 按式（4-1 ）或（4-3 ）可画出光伏探测器在不同照度下的伏安特性曲线，如图4-1 所示。 无光照时，伏安特性曲线与一般二极管的伏安特性曲线相同；受光照后，曲线将沿电流轴向 防 下平移，平移的幅度与光照的变化成正比，即 ∆I =S∆E 。 p 图 4-1 中，第一象限 PN 结外加正向偏压。暗电流 Id 随着外加电压增大而成指数急剧增 大，且远大于光电流 Ip 。光伏探测器和普通二极管一样呈现单向导电性，而表现不出它的光 国 电效应。因此，作为光伏探测器工作在这个区域是没有意义的。 第三象限 PN 结外加反向偏压。暗电流 Id 随反向偏压的增大有所增大，最后等于反向饱 和电流 I ，其值远小于光电流 I ；而光电流 I =SE 几乎与反向电压的高低无关。所以，总电 0 p p 流 I=Id －Ip ≈－SE 与光照的变化成正比。从外表上看，无光照时光伏探测器电阻很大，因而 •74• 光电技术 电流很小；而有光照时，电阻