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第一章　常用半导体器件 ［教学目的］ 1、了解本征、杂质半导体的导电特性及PN结中载流子的运动 2、掌握半导体二极管的伏安特性及其主要参数，理解稳压管的原理及应用，了解PN结的电容效应 3、掌握晶体三极管的电流分配关系及放大系数，掌握晶体管的共射特性曲线，了解温度对晶体管参数的影响 4、掌握结型、绝缘栅型场效应管的基本结构，工作原理及相应的特性曲线，了解其与晶体管的异同点。 ［教学重点和难点］ 二极管的单向导电性、稳压管的原理。 三极管的电流放大原理，如何判断三极管的管型 、管脚和管材。 场效应管的分类、工作原理和特性曲线。 ［教学时数］　8+2学时 ［教学内容］ 第一节 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结 第二节 半导体二极管 一、半导体二极管的几种常见结构 二、二极管的伏安特性 三、二极管的主要参数 四、二极管的等效电路 五、稳压二极管 第三节 双极性晶体管 一、晶体管的结构及类型 二、晶体管的电流放大作用 三、晶体管的共射特性曲线 四、晶体管的主要参数 五、温度对晶体管特性及参数的影响 第四节 场效应管 结型场效应管 二、绝缘栅型场效应管 三、场效应管的主要参数 四、场效应管与晶体管的比较 ［电子教案］ 本章讨论的问题： 1.为什么采用半导体材料制作电子器件？ 2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？ 3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？ 4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗？ 5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效　应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它　们都可以用于放大？ 1.1 半导体基础知识 根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～10-9 ((cm。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 1.1.1 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。 (1) 本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。这种结构的立体和平面示意图见图。 (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 (2) 电子空穴对 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 本征激发和复合的过程（动画1-1） (3) 空穴的移动 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 空穴在晶格中的移动(动画1-2) 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 (1) N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成N型半导体,也称电子型半导体。 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。N型半导体的结构示意图如图所示。 N型半导体的结构示意图 (2) P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一空穴。P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。P