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6英寸砷化镓单晶VGF法生长中坩埚_埚托间隙对晶体生长过程影响
35 4 稀 有 金 属 20 11 7
第 卷 第 期 年 月
Vol. 35 No. 4 CHINESE JOURNAL OF RARE METALS Jul． 20 11
6 VGF -
英寸砷化镓单晶 法生长中坩埚 埚托间隙对晶体生长
过程影响
*
， ， ， ，
涂 凡 苏小平 张峰燚 黎建明 丁国强
( ， ， 100088)
北京有色金属研究总院 北京国晶辉红外光学科技公司 北京
: VGF 6 GaAs ， 。
摘要 在 法生长 英寸 单晶的实际生长过程中 坩埚与坩埚托之间难以实现完全的理想贴合 坩埚与埚托之间的空隙对晶体生长
。 5 ， ，
过程中的温场和固液界面形状影响较大 通过模拟计算 种不同的空隙形状时的温场与热应力分布 发现随着空隙面积的增大 固液界面
。 ， 。 ， ， Ga
在轴向上的位置逐渐下降 在锥形空隙情况下 得到一个平坦的固液界面 设计了两种不同的空隙填充方案 模拟计算的结果表明 液态
， ， 、 GaAs 。
完全填充时 在晶体轴向上热应力的分布较为平缓 有利于生长低位错 高质量的 单晶
: ; ; ; ;
关键词 垂直梯度凝固 数值模拟 空隙 固液界面 热应力分布
doi :10 ． 3969 /j ． issn． 0258 － 7076． 2011． 04 ． 024
中图分类号:O472 文献标识码:A 文章编号:0258 － 7076 (2011)04 － 0617 － 06
Optimization of Gap between Crucible and Support during Growth of
6 Inch VGF GaAs Single Crystal by Numerical Simulation
*
Tu Fan ，Su Xiaoping ，Zhang Fengyi ，Li Jianming ，Ding Guoqiang
(Guoj ing Inf rared Optical Technology Co． Ltd ，General Research Institute f or Non-Ferrous Metals ，Beij ing 100088，China)
Abstract :
There was a gap between the crucible and the support in the process of 6 inch GaAs single crystal grown by VGF (Verti-
cal Gradient Freeze)technique ，which had great effect on the solid-liquid interface sha
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