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第42 卷 增刊1 稀有金属材料与工程 Vol.42, Suppl.1 2013 年 6 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING June 2013 β-氮化硅粉烧结氮化硅陶瓷热导率 彭萌萌，宁晓山 (清华大学 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084) 摘 要：以自蔓延高温合成β-氮化硅粉为原料，添加稀土化合物 Y O 和 MgO 复合烧结助剂，采用放电等离子烧结后 2 3 高温热处理的方法制备氮化硅陶瓷。研究 β-氮化硅粉体制备致密氮化硅陶瓷的条件。讨论粉体种类（β-氮化硅或 α-氮 化硅）及 SPS 保温时间对氮化硅陶瓷热导率的影响。研究表明，采用β-氮化硅粉体制备的氮化硅陶瓷的热导率比采用 相同工艺α-氮化硅粉体制备的氮化硅陶瓷高 15%以上。采用SPS 工艺在 1873 K 烧结 5 min ，然后再在2173 K 保温3 h -1 可以获得致密的氮化硅陶瓷，其热导率高达 105 W·(m·K) 。 关键词：β-氮化硅；Y O ；热导率；致密化 2 3 中图法分类号：TQ174.75+ 8.12 文献标识码：A 文章编号：1002-185X(2013)S1-404-04 当今世界，集成电路技术快速发展，电路板集成 氮化硅晶体中的氧杂质，纯化晶粒，从而提高热导率。 度和工作频率不断提高，导致芯片的散热问题成为制 但是，由于添加烧结助剂所形成的晶界相自身的热导 约其发展的瓶颈。而电动汽车的发展对基板材料的抗 率较低，不利于氮化硅陶瓷热导率的进一步提高。烧 热震性等力学性能也提出了更加严格的要求。因此， 结中形成的β-氮化硅柱状晶是主导热相，而采用α-氮 研究开发具有高热导率、高强度和良好抗热震性的基 化硅粉烧结时，伴随着 α-β 转变出现柱状晶的异常长 板材料势在必行。 大[4-7] ，导致柱状晶间相体积难以降低。采用β-氮化硅 氮化硅陶瓷作为一种传统结构陶瓷，具有高强度， 粉，由于烧结过程中不会发生相变，有望抑制氮化硅 高断裂韧性，良好的抗热震性等优异的力学性能。但 晶粒异常生长。 是，长期以来，人们普遍认为氮化硅陶瓷是一种热导 本实验以自蔓延高温合成β-氮化硅粉和普通α-氮 率只有 20~40 W·(m·K)-1 的低热导率材料。1995 年， 化硅粉为原料，添加Y2O3 和MgO 复合烧结助剂，使 Haggerty 等人[1]从经典固体传输理论计算得出氮化硅 用放电等离子烧结（SPS ）后高温热处理的方法，制 晶体的热导率可高达320 W·(m·K)-1 ，其后Hirosaki 等 备氮化硅陶瓷，研究氮化硅粉类型（α 或β 粉）及烧 人[2]采用分子动力学方法计算得到β-氮化硅的 a 轴和 结条件对氮化硅陶瓷烧结、微观组织及热导率的影响。 c 轴的热导率分别为 170 和450 W·(m·K)-1 。这些研究 1 实 验 表明，氮化硅陶瓷的热导率与氮化铝陶瓷相当，而氮 化铝陶瓷作为高热导率陶瓷材料用于电子基板已经十 氮化硅粉料为自蔓延高温合成β-氮化硅粉和 E10 分普遍。最近Zhou 等人[3]通过采用高纯粉并控制氮化 α-氮