图文并茂让你了解半导体.pptVIP

PN结 面接触型 P N (2)、伏安特性 U I 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) (3)、主要参数 （1）最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2）反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VWRM一般是VBR的一半。 （3）反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性包括整流、限幅、保护等。下面介绍两个交流参数。 （4）微变电阻 rD iD vD ID VD Q ?iD ?vD rD是二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化量的电阻。 （5）二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 为了形成正向电流（扩散电流），注入P区的少子（电子）在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。 P + - N 这样所产生的电容就是扩散电容CD。 CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，载流子很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 例：二极管的应用： R RL ui uR uo t t t ui uR uo §3 特殊二极管 3.1 稳压二极管 U I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - 稳压二极管的参数 （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、 Izmian。 （5）最大允许功耗 3.2 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I V 照度增加 3.3 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 §4 半导体三极管 4.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 结构特点： B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 4.2 电流放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 1 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 B E C N N P EB RB Ec IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IC=ICE+ICBO?ICE IBE 2 ICE IB=IBE-ICBO?IBE IB 3 B E C N N P EB RB Ec IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE 4 ICE与IBE之比称为电流放大倍数 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 * 半导体器件 基本知识 §1 半导体的基本知识 1.1 导体、半导体和绝缘体 自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 -----（热敏特性、光敏特性） 纯净的半导体中掺入某些杂质，会使导电能力明显改变。 -----(掺杂特性) 1.2 本征半导体 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge Si