半导体物理第五章03.pptVIP

当半导体处于非平衡态时，出现非平衡载流子，这种平衡遭到破坏，必然引起杂质能级上电子数目的改变， 如果电子增加，说明该能级具有收容部分非平衡电子的作用； 如果电子减少，看成该能级具有收容空穴的作用； 杂质能级积累非平衡载流子的作用就称为陷阱效应。 实际过程中，只需考虑有显著积累非平衡载流子作用的杂质能级，它积累的非平衡载流子可与导带或价带中的非平衡载流子数目相当。 把具有显著陷阱效应的杂质能级称为陷阱，相应的杂质或缺陷称为陷阱中心。 与陷阱效应相关的问题常常比较复杂，一般要考虑复合中心与陷阱同时存在的情况，而且重要的是非稳定变化过程。这里要分析的仍然是非平衡载流子存在时俘获和产生过程所引起的变化。 原则上讲，复合中心理论可以用来分析有关陷阱效应的问题。 在稳定情况下，复合时的四个微观过程必须保持复合中心上的电子数不变，即nt为常数。由于①、④两个过程造成复合中心能级上电子的积累，而②、③两个过程造成复合中心上电子的减少，要维持 nt不变，必须满足稳定条件: 即 所以复合中心能级上的电子浓度为 浓度梯度为 此时，扩散流密度为常数 这意味着非平衡流子在样品中没有复合。 在晶体管中，基区宽度一般比扩散长度小得多，从发射区注入基区的非平载流子在基区的分布近似符合上述情况。 因为电子和空穴都是带电粒子，所以它们的扩散运动也必然伴随着电流的出现，形成扩散电流。 对于三维情况