锗在空间太阳能电池中的应用.docVIP

锗在空间太阳能电池中的应用胡国元 韩兆忠京有色金属研究总院,北京,100088)摘要用锗作为衬底制作的GaAs/Ge太阳舱电池,其性能与G.As/GaA,电池接近,机械强度更高,单片电池面积更大.在空间应用环境下,杭辐封闺值比硅电池高,性能衰退小,其应用成本接近于同样功率的硅电池板,已应用于各型军用卫星和部分商业卫星中,逐步成为主要的空间电源关键词锗太阳能电池应用1引言经过40多年的发展,太阳能电池已被证明是各类航天器的非常有效的电源,研究和应用较多的有Si, GaAs, GaAs多结,I.P,CIS(C.InSe2)和CdTe电池.直到8.年代,硅太阳能电池因其技术成熟,性能稳定,一直是主要的空间电源.通过IBM最初的尝试和休斯公司,林肯实验室等的努力,人们逐渐认识到GaAs太阳能电池是空间电源的新的发展方向.从80年代初开始,美国空军资助的MANTECH计划和应用太阳能公司的研究表明,GaAs太阳能电池具有良好的应用特性W进步的研究证明了在Ge衬底上异质外延GaAs制成的GaAs/Ge电池具备同样的特性.InP电池具有优秀的抗辐射能力,但目前制造成本太高.CIS和CdTe薄膜电池转换效率低,仅用于一些特殊要求的电池板.Si电池技术继续发展,转换效率达15纬甚至接近18%,但其抗辐射能力差使其应用受限,Si电池将更多地应用于低温低照度条件.n GaAs or Gs 2 GaAs/Ge电池的结构GaAs太阳能电池的结构如图I所示[z],主要包含GaAs缓冲层,n型GaAs基极,P型GaAs发射极和AIG.A.窗口,衬底采用GaAs或Ge片.电池的制备方法早期多采用液相外延.现在基本上采用MOCVD法,亦称为MOVPE方法.因为锗比砷化稼机械强度高,解理性小,又易得到大尺寸的高质量单晶,用锗取代砷化稼作为太阳电池的衬底,可以生产出较薄的衬底片,减轻电池重量,降低生产成本,增大单片电池面积,目前已大量应用.BACK CONTACT一一图I GaAs太阳电池结构Fig I GaAs solar cell structure锗衬底片选择偏向1-60的(100)锗单晶,厚度一般为200.m,电阻率..005^-0. 4D cm,晶格完整性尽可能好.在Ge衬底上进行GaA,异质外延有两个主要问题,一是晶格缺陷,另一个是反相畴.衬底晶向的偏离可以避免进行GaAs异质外延过w中出现反相畴现象(APBs),同时减轻由于晶格常数差异引起的外延层中的缺陷,抑制Ga的反扩散C2-q.在CVD异质外延中采用负压大流量工艺和合适的m/V比有助于抑制外延层中位错和层错的产生,冷却速度也对位错密度产生影响Cs-tl.用等离子氢饨化处理衬底可以降低位错活性,减轻其对太阳电池性能的影响[s.7Bongers等人尝试在锗衬底上外延InGaAs作为对GaAs晶格失配的过度层.of,在外延层上位错密度与衬底相比保持不变.双结和三结电池的结构示意图见图2,底层电池的禁带宽度较窄,能吸收较长波长的光,从而提高电池效率.在电池级间采用重摇杂的隧道结进行欧姆接触,可以避免产生整流效应.3 GaAs/Ge电池与硅电池的性能比较1991年以前生产的GaAs电池尺寸为8c.2,以后电池的尺寸逐渐增大到16c., 36c.,现在可生产50.60cm2的GaAs/Ge电池,厚度减小到200140mm,只有其它半导体器件衬底厚度的一半.电池转换效率从1985年的17%增加到写(AMO,25C),比硅太阳电池效率高20肠-25%,而且输出《功能材料》增刊1998 10功率随温度增加而减小的幅度只是硅电池的一半.虽发射成本,则选择GaAs太阳能电池更加经济.表1然GaAs/Ge电池的成本是硅电池的8.8倍,重量是对1M (EOL )G.As/Ge电池与硅电池制造和应用过硅电池的2倍,但制作同样功率的空间太阳能电他程中的各项指数作一比较,表中未考虑电池板面积减板,GaAs电池板的面积比硅的小35纬,重量减少小导致发射成本的减少 27吓,而电池板制造成本仅增加16%[11.如果考虑到表1 1kW (EOL)Si,GaAs电池板比较Table 1 Comparison of 1kW (EOL) Si, GaAs/Ge solar panels电池类型2 X 4crn单片电池重量9/Ml单片电池成本$ /cell电池数重电池板面积 m2ftkg功率 kW(EOL)电池板成本$M发封到LEO轨遗成本$M发射到GEO软道成本$MSiGaAs/Ge:.:::1513312400810011.667. 63::.:::;一:::.::::.:::OAR coaun口一一mj日科5