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六、结构完整性检测 其中，N为线圈匝数，πr2 为线圈截面积；dB/dt 为磁场变化率，与工作频率f成正比。显然，线圈输出信号的幅度可通过增加线圈匝数加以提高，然而随着线圈匝数的增多，导线总长度增加，电阻将会提高，导致附加的电阻噪声，由此导致的线圈输出电压噪声为： 这样铁磁线圈传感器的信噪比SNR与N线圈匝数无关，而与r5/2成正比： 显然，铁磁线圈传感器的信噪比随着截面尺寸的减小迅速降低，或随工作频率的降低而减小.因此，这类传感器在高分辨率低频应用场合的检测效能将变得很差。 2.霍尔元件 霍尔效应缘于洛伦兹力对磁场中电子轨道的的作用。在霍尔器件中，电压与通过导体或半导体载流产生的磁场成正比。霍尔传感器非常便宜且很容易在集成电路中组合。然而，霍尔器件与磁阻元件相比灵敏度要低得多,正逐步为磁阻元件所替代.霍尔传感器已成功地在无损检测中得到广泛应用，其主要缺点在于灵敏度有限，也正是由于这个原因，霍尔传感器的检测效果很容易受检测距离变化的显著影响，提离效应比较严重。 3.磁阻元件（MR） 磁阻元件是利用磁阻效应感应磁场的磁敏元件。当磁性或半导体材料受到外部磁场作用时，其电阻发生变化的现象，即磁阻效应。磁阻效应的发现，推动了能够在多种场合替代应用成本较高的线圈传感器的固态测磁传感器的发展。材料的磁阻效应品质一般采用磁阻率来表示，其定义为： 磁阻率反映出通过磁阻传感器可获得的最大信号强度。一般各向异性磁阻传感器（AMR）的磁阻率为1-2%，而巨磁阻元件（GMR）的磁阻率可达20-50%。 由于磁阻率较为显著，在实际磁场检测中得到广泛应用的是各向异性磁阻敏感元件（AMR），这种元件的磁致电阻变化取决于通过薄膜电阻条的电流与外场磁化方向之间的夹角；当外磁场方向与电流方向平行时，磁致电阻达到最大值，而当外磁场方向与电流方向垂直时，磁致电阻具有最小值；若外磁场与电流方向之间的夹角为?时，AMR磁敏元件的电阻为： 为减小外界环境对传感器稳定性的影响，集成的磁阻传感器芯片中一般采用四个相同的AMR电阻器制成惠斯登电桥，这样，当有外磁场作用时，不同结构方位布置的电阻器因磁化而发生关于角对称的增减（图2-3），电桥产生的输出为： 在线性范围内，传感器的输出与外加磁场成正比，即： 其中，S为传感器的灵敏度，H为外加磁场的大小。磁阻传感器的其灵敏度与线性范围的大小成反比，既线性范围越宽，其灵敏度越差。 磁阻传感器具有以下特点： （1）尺寸小； （2）高灵敏度，允许传感器距被测铁磁工件有一段较长的距离； （3）内阻抗小，对电磁噪声和干扰不敏感； （4）可靠性高； （5）可方便地装入线路板中，实施成本低。 AMR磁阻传感器存在的最大问题是磁场检测范围偏低（最大10 Oe）。 4.巨磁阻效应（GMR） GMR是法国的Baibich等人于1988年在多层薄膜中发现的一种新的磁致电阻效应，与传统的磁阻效应相比，这种效应产生的磁阻率高出一个数量级，可达20-50%。 巨磁阻元件由两层或多层铁磁性金属（如NiFe, CoFe等）膜组成，各层之间为超薄的非磁性金属隔离层。可以将铁磁层看成电子自旋的极化过滤器，隔离层可在允许电子穿过的同时，允许薄膜层的磁场方向相反。 4.巨磁阻效应（GMR） 当磁性层的按相同方向排列时，一层膜当中产生的电子可以相当自由地穿过到另一层。然而，如果磁化方向相反，一层膜中产生的电子，将受到邻近层的封锁，电子的自由运动受到阻碍，导致电阻的增加。如图2-4(c)的曲线所示，当外磁场为零时，处于正反磁化方向排列的薄膜层存在大量电子散射，电子自由运动受到阻断，元件具有最大的电阻；当受到外磁场作用达到饱和时，电子可以自由地穿过隔离层，电阻最小。 多层膜元件的一种改进结构如图2-5所示，这种结构的巨磁阻仅由两层磁性金属薄膜组成，底层膜直接沉积在一个抗磁性固化层上。抗磁层本身不起磁，但能够保持邻近的铁磁层磁化方向固定。而另一铁磁层则可以响应外磁场作用，自由改变磁化方向，这种结构的可形象地称作“自旋阀”，它可以像一个阀门一样，通过外磁场的作用改变上层薄膜的磁化方向，控制着通过元件的自旋电子流量。在一个经过适当偏置的自旋阀中，自由层的静态位置设置成与固定铁磁层垂直，以取得最大的灵敏度和信号振荡。自旋阀沿固定层方向对外加磁场的响应在相当宽的范围内呈线性。这使得磁致电阻R与磁场H之间的关系为奇函数且通过零点。 巨磁阻传感器拥有磁阻传感器的优点，还具备如下显著的优越性： （1）可实现更高的灵敏度，高达18mV/ V/Oe； （2）更宽的磁场检测范围，可在?200 Oe的范围内保持良好的线性度。 利用巨磁阻效应的数据读出磁头技术已经成为当今