微电子制造导论.PDF

微电子制造导论 Introduction to Microelectronic Fabrication RICHARD C. JAEGER 微电子制造概论 目录 前言 第 1 章 微电子制造概述 1.1 历史展望 1.2 单片制造工艺和结构的概述 1.3 金属氧化半导体(MOS)工艺 1.3.1 基本 NMOS 工艺 1.3.2 基本 CMOS 工艺 1.4 基本双极型晶体管工艺 1.5 安全问题 参考文献 习题 第 2 章 光刻 2.1 光刻工艺 2.1.1 晶片清洗 2.1.2 牺牲层的形成 2.1.3 光刻胶使用 2.1.4 软烘焙 / 前烘 2.1.5 掩模校准 2.1.6 光刻胶的曝光和冲洗 2.1.7 硬烘焙 2.2 刻蚀工艺 2.2.1 湿法化学腐蚀 2.2.2 干法等离子刻蚀 2.2.3 去胶 2.2.4 度量和关键尺寸控制 2.3 光掩模的制作 2.4 曝光系统 2.5 曝光光源 2.6 光学和电子显微镜 2.6.1 光学显微镜 2.6.2 电子扫描显微镜（SEM） 2.6.3 透射电子显微镜 2.7 总结 参考文献 扩展阅读 习题 i 微电子制造概论 第 3 章 硅的热氧化 3.1 氧化处理 3.2 氧化模型 3.3 影响氧化速率的因素 3.4 氧化中的掺杂重新分布 3.5 二氧化硅的掩模特性 3.6 氧化工艺 3.7 氧化质量 3.8 选择氧化 3.9 氧化层的厚度特性 3.10 总结 参考文献 习题 第 4 章 扩散 4.1 扩散工艺 4.2 扩散的数学模型 4.2.1 恒源扩散 4.2.2 有限源扩散 4.2.3 两步扩散 4.3 扩散系数 4.4 连续扩散 4.5 固体溶解的极限 4.6 pn 结的形成及特性 4.6.1 纵向扩散与 pn 结的形成 4.6.2 侧向扩散 4.6.3 由浓度决定的扩散 4.7 薄层电阻 4.7.1 薄层电阻定义 4.7.2 埃尔文曲线曲线 4.7.3 四探针法 4.7.4 范德堡法 4.8 扩散深度及杂质分布测量 4.8.1 凹面-变形法和角-延伸法 4.8.2 杂质分布测量 4.9 扩散模拟 4.10 扩散系统 4.10.1 硼扩散 ii 微电子制造概论 4.10.2 磷扩散 4.10.3 砷扩散 4.10.4 锑扩散 4.11 净化 总结 参考文献