智能电网用高功率密度1500A3300V绝缘栅双极-中国电机工程学报.PDF

第 36 卷 第 10 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.36 No.10 May 20, 2016 2784 2016 年 5 月 20 日 Proceedings of the CSEE ©2016 Chin.Soc.for Elec.Eng. DOI ：10.13334/j.0258-8013.pcsee.2016.10.024 文章编号：0258-8013 (2016) 10-2784-09 中图分类号：TN 322 智能电网用高功率密度 1 500 A/3 300 V 绝缘栅 双极晶体管模块 刘国友，黄建伟，覃荣震，罗海辉，朱利恒 (新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲南车时代电气股份有限公司) ，湖南省 株洲市 412001) High Power Density 1 500 A/3 300 V Insulated Gate Bipolar Transistor Module for Smart Grid Application LIU Guoyou, HUANG Jianwei, QIN Rongzhen, LUO Haihui, ZHU Liheng (State Key Laboratory of Novel Power Semiconductor Devices (Zhuzhou CSR Times Electric Co., Ltd.), Zhuzhou 412001, Hunan Province, China) ABSTRACT: In order to meet the demand of the smart grid, 3 000 A 的电流，并且在栅电压为 15V 、集电极电压为2 000 V electron injection enhanced and terrace gate technology were 的短路条件下的安全工作时间超过 10 μs。测试结果显示，该 introduced in the double diffused metal-oxide semiconductor 模块导通压降及开关损耗性能与同类型国际主流产品相当。 (DMOS) cell design to improve the overall performance of 关键词：绝缘栅双极晶体管；智能电网；电子注入增强；台 3 300 V IGBT chip and 1 500 A/3 300 V IGBT module was