浅谈光刻胶在集成电路制造中的应用性能.doc.doc

浅谈光刻胶在集成电路制造中的应用性能 （电子科技大学 微电子与固体电子学院，成都 610054） 摘 要：光刻胶技术是曝光技术中重要的组成部分,高性能的曝光工具需要有与之相配套的高性能的光刻胶才能真正获得高分辨率的加工能力。主要围绕光刻胶在集成电路制造中的应用，对其反应机理及应用性能指标进行阐述，重点从工艺的角度去提出新的研究方向。 关键词：光刻胶；应用性能；反应机理；集成电路；光刻 中图分类号：TN305.7 文献标识码： A 文章编号：1003-353X(2005)06-0032-05 1 引言 作为微电子技术核心的集成电路制造技术是电子工业的基础，其发展更新的速度是其他产业无法企及的。在集成电路制作过程中，光刻是其关键工艺[1]。光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用超净高纯试剂进行蚀刻，从而完成了将掩膜版图形转移到底层上的图形转移过程。一个IC的制造一般需要经过10多次图形转移过程才能完成,光刻胶及蚀刻技术是实现集成电路微细加工技术的关键[2]。蚀刻的方式主要分为湿法和干法两种，等离子与反应离子刻蚀（RIE）属于干法蚀刻，主要是通过物理轰击溅射和化学反应的综合作用来腐蚀薄膜层，而物理溅射是通过具有一定能量的粒子轰击作用，使膜层的化学键断裂，进而发生分解；而湿法蚀刻是最简便的方法。 光刻胶又称光致抗蚀