用垂直结构提升GaN功率器件的性能-化合物半导体
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用垂直结构提升
GaN功率器件的性能
垂直结构成为制造具有高工作电压、小外形和高可靠性晶体管的关键
IsikKizilyalli, AVOGY
16 化合物半导体 2016年第2期
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我们无法想象一个没有电的世界。因为电能 200V 的直流电需要转换成驱动马达用的650V 三
是我们用得最多的能源,从我们的电脑、 相交流电。
电视到时钟、照明灯和网络,任何设备都需要 这些功率电子系统的核心部件是半导体器
电能。 件、栅极驱动器和控制器电路。这些
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