碳纳米管光混频器产生太赫兹功率的理论分析-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 7 (2014) 077201 碳纳米管光混频器产生太赫兹功率的理论分析 贾婉丽 赵立 侯磊 纪卫莉 施卫 屈光辉 (西安理工大学理学院, 西安 710054) ( 2013 年11 月9 日收到; 2013 年12 月23 日收到修改稿) 以光混频器电路模型为基础, 理论分析了碳纳米管(CNT) 材料光混频器产生太赫兹功率的大小. 通过对 光混频器电导、天线的阻抗和外加偏置电压的模拟结果表明: 提高光混频器电导、天线阻抗和外加偏置电压都 能够提高输出太赫兹波功率, 在小信号输入条件下, 输出功率理论上能够达到数十微瓦. 关键词: 碳纳米管(CNT), 光混频器, 太赫兹功率 PACS: 72.40.+w, 81.07.De DOI: 10.7498/aps.63.077201 78