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第 4 章 蝕刻製程 班級：科管三乙 組員：林宗 王丹 吳清 孟暐 蔡銘 工作分配 4.2.1~4.2.6 王丹祈 4.2.7~4.2.11 蔡銘鐘 4.3 林宗憲 PowerPoint製作 孟暐達 報告修改及上台報告 吳清三 4.2.1 蝕刻 定義:藉由預先定義好的圖形把不要的區域去除，保留要留下的區域，將圖形轉移到所選定的基礎上其過程稱之為蝕刻。 蝕刻的過程就是圖形轉移的過程，這個過程基本上包含幾個步驟，最終是將顯影後的光阻圖形轉移到底層的薄膜。蝕刻方法可以是物理性(離子撞擊)，也可以是化學性(與薄膜發生化學反應)，也可以是兩者的混合方式。 4.2.2 濕式蝕刻 定義:利用液態化學品與選定材料在化學槽中發生反應的機制，將未受保護區域的材料從表面上移除的過程。 所謂蝕刻必須是能將未受保護區域的材料從表面移除，才能稱為蝕刻。 因此在化學品選擇上有所限制(1)必須能與選定材料形成持續性的化學反應(2)對於光阻有相對較低的反應速率(3)化學反應所形成的產物，必須是可溶於原化學品中，如此才不會形成蝕刻的缺陷。 濕蝕刻