小组汇报-台玉萍-1.23.ppt

NORTHWEST UNIVERSITY * * * 晶硅电池基础知识及文献介绍 主要内容 n-p(PANDA)电池的优缺点 2 减反膜的减反原理 1 文献汇报 3 ARC减反原理-薄膜干涉 切片制绒后的硅片反射率在20%以上 根据薄膜干涉原理，在电池表面制作一层（多层）薄膜，可有效降低太阳光反射率 未镀膜时,光线由空气(折射率=n0)垂直入射进硅片(折射率=nSi) ，其反射率为 一.ARC减反原理及设计 (1) 在硅片表面镀膜后，入射光在薄膜的两个表面发生反射 上下表面反射光束相位差为?时，两束光干涉相消，无能量损耗 对应减反膜的厚度为n?+?/4，此时反射后空气中的光能量为零，最终实现减反目的 最终反射率的表达式为： r1为光在空气与薄膜界面的反射系数 r2为光在薄膜与硅界面的反射系数 ?为入射光波长 d 为薄膜厚度 ?称为相位角 (2) 薄膜光学厚度nd =?/ 4 时，由(2)可得 要使波长为?的入射光实现零反射，即令(3)中 R=0，可推得n=(n0nSi)1/2 计算得n=2.0-2.1 SiNx薄膜对600-650 nm响应最强，此时电池?最高 计算得d=75-85 nm (3) n-Si (PANDA)电池的结构 N型双面电池技术和MWT(金属穿孔卷绕)电池技术的集成 N型双面电池技术 二.n-Si与p-Si电池的比较 N-Si在下，p-Si在上 正面采用Ag/Al浆印刷提升场钝化， 有效降低接触电阻 背面采用Ag浆降印刷 正面和背面皆采用栅线结构网版 电池具有双面受光特性 n-Si (PANDA)电池的结构 MWT是采用激光钻孔将电池正面收集的能量穿过电池转移至背面 一般MWT每块硅片需钻约200个通孔 二.n-Si与p-Si电池的比较 与传统的硼(其他3价元素)扩散的p-Si不同，“熊猫”电池的基础是磷掺杂的n-Si 将主栅线从传统的正面转移至背面，正面只保留细金属栅线，降低表面栅线遮挡损失，又称背电极电池 PANDA电池结构 采用磷扩散形成有效背场，通过类似正面的栅线设计实现接触方式，使电池具有双面发电能力，提高发电效率 B/Si diffusion Passivation Metal print Co-firing Texturing N-Si （PANDA)电池的几大技术优势 N-Si的杂质对少子空穴的捕获能力低于P-Si 相同电阻率的N-Si的少子寿命比P-Si的高 光致衰减效应极其微弱，电池效率稳定 N-Si少子的表面复合速率低于P-Si N-Si对金属污杂的容忍度要高于P-Si N-Si电池在弱光下发电特性优于常规P-Si型电池 n-Si(PANDA)电池的优点 ECN n-WMT technology n-MWT vs. n-Pa