基于薄膜退火的MoS2SiO2Si异质结太阳能电池光伏性能提高.pdf

第 25卷 第 3期 光学 精密工程 Vo1．25 No．3 2017年 3月 OpticsandPrecisionEngineering M ar．2O17 文章编号 1004—924X(2o17)03—0597—06 基于薄膜退火的MoS2／SiO2／Si异质结 太阳能电池光伏性能提高 许贺菊 ，张 彬 ，张 瑜 ，丛 日东 ，于 威 (1．河北大学物理科学与技术学院，河北保定071002； 2．华北理工大学理学院，河北唐山063009) 摘要：为了制备高效的MoSi／SiO ／si异质结太阳能电池 ，利用磁控溅射技术制备 MoS 薄膜，并在硫气氛下对 MoSz薄 膜进行退火处理。分别用退火和未退火的MoS 薄膜制备MoS／SiOz／Si异质结太阳能电池，研究了退火对 MoS。薄膜 的微观结构和 MoSz／SiOz／si异质结太 阳能 电池光 电性能的影响。实验结果显示 ，相 比于未退火 的，经过退火处理的 MoSz薄膜的拉曼峰半高宽(FWHM)变窄，峰强增强 ，显微荧光光谱 中也出现明显的激子发光峰。由此表明，退火处理 使 MoS。薄膜 由非晶向晶态转变，薄膜的体缺陷减少，异质结太阳能电池的开路 电压和填充因子得到提升，器件转换效 率从 0．94 提高到 1．66 。不 同光照强度下的 测量和暗态 的J— 测量结果表明，经退火处理的MoS 薄膜 的异质 结太 阳能 电池具有较高的收集 电压和更接近于 1的理想因子 ，这归因于退火导致 MoSz薄膜 的体缺陷的减少 ，近而 降低 了Mo ／siOz／Si异质结太阳能电池器件的体缺陷复合。 关 键 词 ：太阳能 电池 ；MoS2薄膜 ；退火；光伏性能 中图分类号：TM914．42；0475 文献标识码 ：A doi：10．3788／OPE0597 EnhancementofphotovoltaicperformanceofMoS2／SiO2／Si heterojunctionsolarcellsbyfilm annealing XU He—ju ，ZHANGBin ，ZHANGYu ，CONGRi—dong¨，YU Wei (1．CollegeofPhysicsScienceandTechnology，HebeiUniversity，Baoding071002，China； 2．CollegeofScience，NorthChinaUniversityofScienceandTechnology，Tangshan063009，China) *C0rrsp0 gauthor，E-mail：congrd@hbu．edu．cn；yuwei@hbu．edu．cn Abstract：M oS2thinfilmswerepreparedusingmagnetronsputteringtechnologyandannealedinsulfur surrounding．Then，MoS2／SiO2／SiheterOjunction solarcellswerefabricatedwith annealed and unannealedM oS2thinfilmsrespectively．TheeffectsofannealingonthemicrostructureofM oS2thin filmsandthephotovoltaicperformanceofMoS2／SiO2／Siheterojunctionsolarcellswereinvestigated． Comparedwith theunannealed M oS2thin film ，thefullwidth athalfmaximum (FW HM ) of 收稿 日期 ：2016-10—13；修订 日期 ：2016—11-15． 基金项 目：国家 自然科学基金青年基金资助项 目(No；河北省 自然科学基金青年基金资助项 目(No． A201620