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IGBT 系统设计全攻略【详细】详解IGBT系统[图文] ?　　IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功?率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常 工作于几十kHz频率范围内。 　　理想等效电路与实际等效电路如图所示： 　　 　　IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。 　　动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取： 　　 　　IGBT的开通过程 　　IGBT 在开通过程中，分为几段时间 　　1.与MOSFET类似的开通过程，也是分为三段的充电时间 　　2.只是在漏源DS电压下降过程后期，PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间。 　　在上面的表格中，定义了了：开通时间Ton，上升时间Tr和Tr.i 　　除了这两个时间以外，还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i 　　IGBT在关断过程 　　IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。 ? 功率器件在绿色节能设计中的应用【IGBT、MOSFET】 ? 　　功率器件是功率电子技术的核心器件，特别是IGBT模块和MOSFET器件被广泛应用于工业设备、汽车电子、