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第五章 三极管的时间与频率特性 P-n结的开关特性 电荷控制分析 晶体管的频率特性 5.1 P-n结的开关特性 耗尽层电容充电时间 当一个二极管从关（零片或反偏）到开（正偏），需要一定的时间才能达到稳定状态。这个时间与耗尽层电容的充电及过剩少数载流子充满n区或p区有关。 当一个二极管从开（正偏）到关（零片或反偏），同样也需要一定的时间才能达到稳定状态。这个时间与耗尽层电容的放电及n区或p区的过剩少数载流子有关。 如Cd=1fF/?m2，从关到开，从开到关电压摆幅为1V，电流密度为1mA//?m2，充放电时间CdV/J约为10-12s。 耗尽层电容的充放电时间比p和n区少子的充放电时间要短得多。 5.1.1基区过剩少数载流子和基区充电时间---长基区二极管 n+—p二极管，基区宽度为w（p区）；正偏时，少子注入基区。 长基区二极管：少子随距离的增加指数下降，到达x=W处，所有少子均被复合。 基区过剩少子（电子）电量QB： （2.119） （2.107） （2.108） 5.1.1基区过剩少数载流子和基区充电时间---长基区二极管（续） 把方程（2.107）和（2.108）代入（2.119）得 （2.120） 上式利用了 和 少子充满基区时间： 在宽基区二极管中，少子充满基区的时间等于少子寿命。 (2.98) 5.1.1基区过剩少数载流子和基区充电时间---短基区二极管 短基区二极管：所有少子均能通过基区而没有被复合。 （2.111） （2.112） 对于短基区，把方程（2.111）和（2.112）代入（2.119）得： （2.121） 5.1.1基区过剩少数载流子和基区充电时间---短基区二极管（续） 基区传输时间tB定义为： （2.122） 上式利用了 上式也等于少数载流子通过短基区的平均时间。 在短基区二极管中，少子充满基区的时间等于基区传输时间。 5.1.2通过短基区二极管的平均时间 由方程（2.111），在窄基区二极管中，任一点的过剩少数载流子浓度为： （2.123） v(x)是x点过剩载流子速度，有过剩载流子在x点产生的电流密度为： （2.124） 由方程（2.112）给出的电流密度为：