《光电成像原理》第7章3节20101006定.pptxVIP

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  • 2017-05-27 发布于重庆
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《光电成像原理》第7章3节20101006定

§7.3 摄像管的分类 二次电子发射积累型,如:超正析摄像管; 二次电子导电积累型,如:SEC摄像管; 光电导积累型,如:各种视像管; 电子轰击感应电导积累型,如:电子轰击硅靶摄像管。 按电荷积累方式分类 按光电变换形式分类 按视频信号读出方式分类 信号板输出型,利用上靶电子取信号,信号板和靶是固定在一起(靶输出型)。 双面靶输出型,从靶面反射电子取信号,又称返束输出型。 氧化铅靶和硅靶是最常用的结型光电导靶。 无结型(Sb2S3)采用均匀光电导体,暗电流和惰性大。 在视像管中,光电导靶面既作为光电变换器,又作为电信号存贮与积累器。   主要部件:光电导靶、扫描电子枪、输出信号电极和保持真空的管壳。 §7.3.1 光电导摄像器件   Sb2S3特点:惰性大,灵敏度低,工艺简单、成品率高、价格低廉等优点,在大量使用摄像机工业用闭路电视方面有广阔的用途。 注入型光电导靶(Sb2S3) 标准Sb2S3参数: Sb2S3构成:    多层结构,各层间接触属于注入接触,即界面间不产生势垒,对双向移动的载流子都不产生阻挡作用。 全靶1m。两边致密层为0.06-0.15 m厚。中间疏松层0.7-0.8 m厚,增加其厚度有利于降低惰性,会使光电灵敏度变差。 Sb2S3构成: 注入型靶的参数分析: 靶的电阻率 注入型靶驰豫时间与靶结构尺寸无关,仅取决于靶电阻率

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