1.2半导体二极管的结构及特性.ppt

* 1.2 半导体二极管的结构及特性 1.2.1 半导体二极管的结构和类型 构成： PN结 + 引线 + 管壳 = 二极管 (Diode) 符号： A (anode) C (cathode) 分类： 按材料分 硅二极管 锗二极管 按结构分 点接触型 面接触型 点接触型 正极 引线 触丝 N型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 平面型 正极引线 负极引线 集成电路中平面型 p N P型支持衬底 第1章 半导体二极管 1.2.2 二极管的伏安特性 一、PN结的伏安方程 UT = 26 mV 反向饱和 电流 ? IR 温度的 电压当量 玻尔兹曼常数 电子电量 当T = 300（27?C） 二、二极管的伏安特性 第1章 半导体二极管 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U ? Uth iD 急剧上升 0? U ? Uth UD(on) = 0.6 ? 0.8 V 硅管0.7 V 0.1 ? 0.3 V 锗管0.2 V 反向特性 IS U (BR) 反向击穿 U（BR) ?U? 0 iD = IS 0.1 ?A(硅) 几十?A (锗) U U（BR） 反向电流急剧增大 (反向击穿) 反向击穿类型： 电击