集成电路原理与设计自学报告课案.docxVIP

PAGE \* MERGEFORMAT13 集成电路的发展 集成电路的发展经历了一个漫长的过程： 1906年，第一个电子管诞生；1912年前后，电子管的制作日趋成熟引发了无线电技术的发展；1918年前后，逐步发现了半导体材料；1920年，发现半导体材料所具有的光敏特性；1932年前后，运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象；1956年，硅台面晶体管问世；1960年12月，世界上第一块硅集成电路制造成功；1966年，第一块公认的大规模集成电路制造成功；1988年：16M?DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管； 1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μｍ工艺； 2009年： intel 酷睿 i系列全新推出，采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。由此集成电路从产生到成熟大致经历了如下过程：? 电子管——晶体管——集成电路——超大规模集成电路 集成电路的制备过程 1、衬底材料的制备? 任何集成电路的制造都需要衬底材料——单晶硅。通常，常见的单晶硅制造有两种主要的方法：悬浮区熔法和直拉法，这两种方法制成的单晶硅具有不同的特点，并且具有不同的用途。? （1）悬浮区熔法? 在悬浮区熔法中，使圆柱形硅棒固定于垂直方向，用高频感应线圈在氩气气氛中加热，使棒的底部和在其下部靠近的同轴固定的单晶籽晶间形成熔滴，这两个棒朝相反方向旋转。然