2第二章半导体二极管及其基本电路.pptxVIP

第二章 半导体二极管及其基本电路;§2.1 半导体基础知识;3. 半导体;2.1.2 本征半导体;2.本征半导体的共价键结构;共价键性质;3. 电子与空穴;电子与空穴;电子与空穴的复合;空穴的移动;2.1.3 杂质半导体;1. N型半导体;N型半导体结构;2. P型半导体;P型半导体结构;3. 杂质对半导体导电性的影响;本节中的有关概念;2.2 PN结及其特性;1. PN结的形成;PN结的形成;PN结的形成;2. PN结的单向导电性; (1) PN结加正向电压时的导电情况; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ;（3） PN结的伏安特性;3. PN结方程;PN结方程;4. PN结的击穿特性;5 . PN结的电容效应;(1) 势垒电容CB;(2) 扩散电容CD;扩散电容CD;§2.3 半导体二极管及其应用;2.3.1 半导体二极管的结构类型;二极管的结构;2.3.2 半导体二极管的伏安特性曲线;二极管的伏安特性曲线; 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 ; 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：;反向特性;2.3.3 半导体二极管的参数;半导体二极管的参数;2.3.4 半导体二极管的温度特性;2.3.5 半导体二极