光电检测13.pptxVIP

CCD是一种电荷耦合器件(Charge Coupled Device) CCD的突出特点：是以电荷作为信号，而不同于其它大多数器件是以电流或者电压为信号。 CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储和传输。;一、DC的成像原理 ;DC的成像原理 ;DC的成像原理 ;DC的成像原理 ; 目前市面上大部分DC使用的影像传感器是CCD，是一种特殊的半导体材料。是由大量独立的光敏元件组成，这些光敏元件通常是按矩阵排列的，通常以百万像素为单位。; DC规格中的多少百万像素，指的就是CCD的分辨率，也就是指这台DC的CCD上有多少感光组件。光线透过镜头照射到CCD上，并被转换成电荷，每个元件上的电荷量取决于它所受到的光照强度。 当按动快门，CCD将各个元件的信息传送到A/D上，模拟电信号经过A/D处理后变成数字信号，数字信号以一定格式压缩后存入缓存内，此时一张数码照片就诞生了。 ; 二、 CCD的外形与结构 外形：;; 切开CCD，会发现CCD的结构就像三明治一样，第一层是微型镜头，第二层是分色滤色片，以及第三层感光汇流片 ;CCD的结构;（1）光电转换 （2）电荷存贮 （3）电荷转移 ;1 光电转换过程 光照射到 MOS 电容上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入 P 型硅衬底，硅中的电子吸收光子能量跃迁至导带，形成电子－－空穴对，且在外电场的作用下，分别向电极两端移动，因此产生光生电荷。 注意： 波长太长的光子由于自身能量小不足以激发电子跃迁；波长太短的光子由于穿透能力弱进不了衬底；所以，对于不同的MOS材料，器件具有不同的光谱响应特性，可以适用于不同的场合。 ;在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。 加正偏压后，空穴被排斥而产生耗尽区，偏压增加，耗尽区向内延伸。 当UG＞ Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。 反型层电荷的存在表明了MOS结构存储电荷的功能。;P型硅杂质浓度Nd=1021m-3;表面势与反型层电荷密度的关系;电子被加有栅极电压的MOS结构吸引到势能最低的氧化层与半导体地交界面处。;3、电荷的转移（耦合）;电荷的转移（耦合）;四、电荷的注入＆检测 1、电荷的注入 （1）光注入 当光照射CCD硅片时，在栅极附近的半导体体内产生电子空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。它有可分为正面照射式＆背面照射式。其光注入电荷：;;;2、电荷的检测;;四、CCD的特性参数 1、转移效率＆转移损失率 转移效率：一次转移后，到达下一个势阱中的电荷与原来势阱中的电荷之比。;2、工作频率f （1）下限：为避免由于热产生的少数载流子对注入信号的干扰，注入电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间必须小于少数载流子的平均寿命，对于三相CCD,t 为：t=T/3=1/3f,故，f1/3ζ。 （2）上限：当工作频率升高时，若电荷本身从一个电极转移到另一个电极所需的时间大于驱动脉冲使其转移地时间T/3,那么信号电荷跟不上驱动脉冲的变化，使转移效率大大降低。故t≤T/3，即f ≤1/3t。;2、类型 （1）线型CCD摄像器件 单沟道线型ICCD 双沟道线型ICCD （2）面阵ICCD 帧转移面阵ICCD 隔列转移型面阵ICCD 线转移型面阵ICCD 它们的结构原理见课本;线阵CCD外形 ;面阵CCD ;面阵CCD外形（续） ;CCD数码照相机 ;CCD用于图像记录;数码相机的结构解剖（索尼F828）;CCD数码显微镜拍摄的金属表面显微照片;CCD数码摄像机;