变频器可控硅bsm50gp120.pdf

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2017-05-28 发布于河南
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变频器可控硅bsm50gp120

Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM50GP120 IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung VRRM 1600 V repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert IFRMSM 40 A RMS forward current per chip Dauergleichstrom TC = 80°C Id 50 A DC forward current Stoßstrom Grenzwert tP = 10 ms, Tvj = 25°C IFSM 500 A surge forward current tP = 10 ms, Tvj = 150°C 400 A Grenzlastintegral t = 10 ms, T = 25°C I2 1250 2 P vj t A s I2t - value tP = 10 ms, Tvj = 150°C 800 A2s Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom Tc = 80 °C IC,nom. 50 A DC-collector current