03三讲 双极型晶体管.pptVIP

-1.4 -3.5 -2.8 硅管 1.3 1.5 1.2 锗管 3.7 1.5 1.8 锗管 12 -0.7 2 硅管 （e） 发射结正偏，集电结反偏， ?放大状态。 （f） 发射结正偏，集电结正偏， ?饱和状态。 （g） 发射结正偏，集电结反偏， ?放大状态。 （h） 发射结正偏，UBE?0.7V， ?损坏。 练习：测得晶体管无信号输入时，各个电极对“地”电压如下：判断管子工作状态（放大、截止、饱和、倒置、损坏） iB uBE 二、BJT的特性曲线（以共射BJT为例） ——BJT输入端口和输出端口的伏安特性，是BJT内部载流子运动的外部表现。 （一）输入特性曲线： iB=f (uBE)?uCE=常数 UCE=1V 10 uBE不变，uCE?? uCB? ? iC?, iB? 处于放大状态的BJT， uCE?1V， 曲线特点： 1、 iB与uBE近似为指数关系，与二极 管正向特性相似。 2、 uCE增大，曲线右移（厄利效应）。 3、当uCE?1V后，特性曲线基本重合。 输入特性曲线就用uCE?1V的曲线表示。 + - + - uBE uCE b c e iC iE iB uCE iC （二）输出特性曲线： iB=0 饱和区 BUCEO 击穿区 截止区 临界饱和线 iB=IB5 iB=IB4 iB=IB3 iB=IB2 iB=IB1 放大区 + - + - uBE uCE b c e iC iE iB 1、放大区： (发射结正偏，集电结反偏) uCE??uCB?? iB?, iC?。 iB ?，倾斜的程度会增大。 iC ? ?iB ①特性曲线平坦，近似为直线。 ②特性曲线间隔均匀， iC 随iB 近似的成正比例变化。 ③由于厄利效应，特性曲线随uCE的增大略向上倾斜。 iC=f (uCE)?iB=常数 2、截止区： 发射结电压小于开启电压而集电结反偏。 iB=0； iC≤ ICEO 各极电流近似为0，没有放大作用。 uCE iC 饱和区 BUCEO 击穿区 截止区 临界饱和线 iB=IB5 iB=IB4 iB=IB3 iB=IB2 iB=IB1 放大区 3、饱和区： （uCE uBE, 发射结和集电结都正偏） ①临界饱和： 集电结零偏， uCE=uBE或uCB=0 临界饱和时，仍有iC ＝?iB。 ②进入饱和区后，iC随uCE的减小而明显下降。 uCE减小使集电结反偏电压减小，收集电子的能力下降，所以集电极电流变小。 ③各曲线几乎重合，iC不再 随iB 成比例地变化: iC ?iB。 ④饱和压降UCES： UCES随iC的增大而略有增大。 典型值：UCES=0.3V。 4、击穿区： uCE增大到一定值后， iC急剧增大，集电结反向击穿。 （三）温度对BJT特性曲线的影响 T? ?输入特性曲线左移，（2~2.5)mV/°C uCE/V iC T2 iB/?A uBE/V T2T1 T1 T? ?? ? ， （0.5%~1%)/?C T? ?ICBO ? ?iC?， 输出特性曲线上移 三、 BJT的主要特性参数 1、电流增益（电流放大倍数）： ——共射直流电 流放大倍数 ——共基直流电 流放大倍数 ——共射交流电 流放大倍数 ——共基交流电 流放大倍数 一般在电流不是很大的情况，可以认为： 今后不再区分直流还是交流，统一用?和?表示。 2、极间反向电流： （1）集电结反向饱和电流 ICBO： （2）集电极穿透电流ICEO ： IB IC IB = -ICBO， IC = ICBO ICEO= （1+?）ICBO ( P34 ) 与单个PN结的反向饱和电流一样。 ICBO的值很小，但受温度影响很大，易使管子工作不稳定，应尽量减小。 此电流从集电区穿越基区流至发射区，故叫穿透电流，它不是单纯的PN结反向电流。 ICBO和ICEO都是衡量BJT温度稳定性的重要参数，因ICEO大，容易测量，所以常把ICEO作为判断管子质量的重要依据。 ICBO和ICEO越小，说明其质量越好。 ①集电极最大允许电流ICmax ——使BJT的β值明显减小的集电极电流。 ②集电极最大允许功率损耗PCmax 管子的功率损耗为： ③反向击穿电压： BUCBO：发射极开路时集电极－基极间的反向击穿电压。 + - + - uBE uCE b c e iC iE iB PCmax—pC的平均值不允许超过的极限值。 集电极功率损耗 BUCEO：基极开路时集电极－发射极间的反向击穿电压。 BUEBO：集电极开路时发射极－基极间的反向击穿电压。 BUEBOBUCEO BUCBO 常用作选取BJT集电极电源