应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究3.PDF

　第 19 卷第 12 期　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 12　 V o l N o 　1998 年 12 月　　 　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S D ec 应变量子阱光伏谱 InGaA s GaA s 激子峰展宽的研究 吴正云　王小军　黄启圣 ( 厦门大学物理系　厦门　361005) 摘要　实验得到不同温度下应变 量子阱的光伏谱, 通过理论计算与实验结果的 InGaA s GaA s 比较, 对各谱峰进行了指认. 本文着重考察各样品中 11 跃迁的激子谱峰的半宽随温度及阱 H 宽的变化, 讨论谱峰展宽机制中的声子关联、混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响. PACC: 7240, 7280 1　引言 随着半导体材料薄层外延技术的发展, 高质量的应变 半导体量子阱、超 InGaA s GaA s 晶格材料在光电子器件的应用得到广泛的重视. 用表面光伏谱方法研究量子阱、超晶格体系 的光学性质无需制作样品电极、不破坏样品, 可以避免意外沾污, 对测量样品的尺寸及结构 无特别要求, 测量灵敏度高. 与光致发光、光吸收等其他方法相比较, 光伏谱方法的设备及测 量过程比较简便. [ 1～ 3 ] 有关低维半导体低温光伏谱的研究尚不多 . 光伏响应涉及的因素较多, 除与光吸收 ( ) ( ) 相关之外, 还包含有光生载流子在电场 表面电场及内建电场 作用下的输运 漂移、扩散 及 通过表面态和深中心复合的信息. 本文通过不同温度下应变 量子阱的实验 InGaA s GaA s 光伏谱, 着重研究影响激子谱峰展宽的可能机制, 其结果可与已有的其他方法得到的结果相 比较. 2　实验 实验样品为在半绝缘 GaA s 衬底上, 采用M OCVD 生长方法, 在衬底温度为 580 ℃条件 ( ) 下生长的 应变量子阱. 样品 1 含有 4 个阱宽分别为 4、7、122 和 16 的量 InGaA s GaA s nm ( ) ( ) 子阱, 由于阱间由宽度为 100nm 的势垒隔开, 实际上是 4 个单量子阱. 样品 2 及样品 3 各