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1N60、1N60P 小电流低压降 肖特基二极管
1N60-1N60P
Wuxi Xuyang Electronics Co Ltd
Shottky Barrier Diode
FEATURES
1. High reliability
2. Low reverse current and low forward voltage
APPLICATIONS
Low current certification and high speed switching.
CONSTRUCTION
Silicon epitaxial planar.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T =25ºC
j
Parameter Test Conditions Type Symbol Value Unit
1N60 V RRM 40 V
Repetitive peak reverse voltage
1N60P V RRM 45 V
1N60 IFSM 150 mA
Peak forward surge current t 1s
p =
1N60P IFSM 500 mA
1N60 IF 30 mA
Forward continuous current T = 25ºC
a 1N60P IF 50 mA
Storage temperature range Tstg -65~+125 ºC
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE
T =25ºC
j
Parameter Test Conditions Symbol Value Unit
Junction a
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