SVF8N60T原厂授权代理规格书.pdf

SVF8N60T/F 说明书 8A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF8N60T/F N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采 用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的 工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优 1 越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 1 1 ∗ 8A，600V，RDS(on)(典型值)=1.0Ω@VGS=10V 2 3 2 3 TO-220F-3L TO-220-3L ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF8N60T TO-220-3L SVF8N60T 无铅 料管 SVF8N60F TO-220F-3L SVF8N60F 无铅 料管 版本号：1.1 2011.08.30 共8页 第1页 SVF8N60T/F 说明书 极限参数(除非特殊说明，T =25°C) C 参数范围 参 数 符 号 单位 SVF8N60T SVF8N60F 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS ±30 V T =25°C 8.0 C 漏极电流 ID