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BDW47G;BDW42G;BDW46G;BDW47;BDW42;中文规格书,Datasheet资料
BDW42G - NPN, BDW46G,
BDW47G - PNP
Darlington Complementary
Silicon Power Transistors
This series of plastic, medium−power silicon NPN and PNP
Darlington transistors are designed for general purpose and low speed
switching applications.
Features 15 AMP DARLINGTON
• High DC Current Gain − hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc. COMPLEMENTARY SILICON
• Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc: POWER TRANSISTORS
VCEO(sus) = 80 Vdc (min) − BDW46
80−100 VOLT, 85 WATT
100 Vdc (min) − BDW42/BDW47
• Low Collector Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) = 2.0 Vdc (max) @ IC = 5.0 Adc MARKING
3.0 Vdc (max) @ IC = 10.0 Adc DIAGRAM
• Monolithic Construction with Built−In Base Emitter Shunt resistors
4
• TO−220AB Compact Package
• These are Pb−Free Packages*
TO−220AB
BDWxx
CASE 221A−09
AYWWG
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