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- 2017-05-29 发布于河南
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CET的MOS管S2302
CES2302
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
20V, 3.0A, RDS(ON) = 55mΩ (typ) @VGS = 4.5V.
RDS(ON) = 82mΩ (typ) @VGS = 2.5V.
High dense cell design for extremely low RDS(ON).
Lead free product is acquired.
D
Rugged and reliable.
SOT-23 package.
G
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