2N7584T1中文资料(International Rectifier)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdfVIP

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芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn PD-94667D 2N7584T1 抗辐射抗辐射 IRHMS67260 功率功率MOSFET 200V,N沟道沟道 通孔(低电阻通孔(低电阻TO-254AA)) 技术技术 产品概述产品概述 型号辐射水平型号辐射水平 RDS(on) ID IRHMS67260 100K拉德(硅) 0.029Ω 45A* IRHMS63260 300K拉德(硅) 0.029Ω 45A* 低电阻低电阻 TO-254AA 国际整流器公司R6 技术提供 卓越功率MOSFET空间应用. 产品特点:产品特点: 这些器件具有改善免疫单 事件效应(SEE),并已表征 n 低R DS(on) 与线性能量转移有用性能 n 快速开关 (LET)达90MeV (毫克平方厘米).他们组合 n 硬化单粒子效应(SEE) 非常低 RDS(on) 和更快切换时间减少 n 低总栅极电荷 功率损耗和增加功率密度在今天 n 简单驱动要求 高速开关应用诸如直流 - 直流 n 易于并联 转换器和电机控制 .这些设备 n 密封式 防护留所有公认优点 n 陶瓷鸡眼 MOSFET如电压控制,易于并联和电气参数温度稳定性 n 电气隔离 .

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