EM6160FU16DS-12LF中文资料(Emerging Memory)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdfVIP

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EM6160FU16DS-12LF中文资料(Emerging Memory)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn 合并存储器与逻辑解决方案公司合并存储器与逻辑解决方案公司 EM620FV8AS系列系列低功耗低功耗,256Kx8 SRAM 文档标题文档标题 256K×8位超低功耗和低电压全位超低功耗和低电压全CMOS静态静态RAM 修订记录修订记录版本号版本号历史历史草案日期草案日期备注备注 0.0 初稿草案 5月31日,2004年 0.1 第1修订 ICC2 值改变（@ 70ns产品：20毫安 - 25毫安） 2004年12月14号（@ 55ns产品：25毫安 - 30mA）,口径 0.2 第2修订 ISB1 最大.从5UA值更改为15uA. 2005年1月4 日 ISB1 典型值.值删除. IDR 最大.值改为5UA. IDR 典型值.值删除. 芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn 合合并并存存储储器器与与逻逻辑辑解解决决方方案案公公司司 EM620FV8AS系系列列低低功功耗耗,256Kx8 SRAM 特特征征概概述述 • 工艺技术：0.15μm全CMOS 该EM620FV8AS系列由EMLSI制造 • 组织：256K 8位先进全CMOS工艺技术.这些家庭 • 电源电压：2.7V〜3.6V 支持工业级温度范围和芯片级 • 低数据防护持电压：1.5V （最小值）包装系统设计用户灵活性.这些家庭还支持低数据防护 • 三态输出和TTL兼容持电压低数据防护持当前电池备份操作.