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ESDR0502NMUTBG中文资料(ONSEMI)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn
ESDR0502N
超低电容ESD
高防护护阵列
高速数据线路防护护
该ESDR0502N超低电容TVS阵列设计
防止ESD高速数据线路.超低电容和
ESD防护护水平高,使该器件非常适合用于
USB 2.0应用.
6
特征特征
低电容(0.3 pF典型之间I / O线和地线) 1 4 5
IEC 61000-4-2 4级
UL阻燃等级94 V-0
这些器件是无铅,符合RoHS标准
典型应用典型应用
高速通信线路防护护
USB 2.0高速数据线和电源线防护护
显示器和平板显示器
MP3 UDFN6
MU后缀后缀
千兆以太网
CASE 517AA
最大额定值最大额定值 (TJ = 25°C除非另有说明)
标记图标记图
等级等级 符号符号 值值 单元单元
工作结温范围 TJ −40 to +125 °C DM
峰值功率耗散 Ppk 100 W
8x20 ms@ TA = 25°C (注1) D =具体设备守则*
(顺时针旋转90°)
峰值功率电流 Ipp 3.0 A
8x20 ms@ TA = 25°C (注1) M =日期代码及组装地点
存储温度范围 Tst −55 to +150 °C
无铅焊锡温度
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