ESDR0502NMUTBG中文资料(ONSEMI)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

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ESDR0502NMUTBG中文资料(ONSEMI)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn ESDR0502N 超低电容ESD 高防护护阵列 高速数据线路防护护 该ESDR0502N超低电容TVS阵列设计 防止ESD高速数据线路.超低电容和 ESD防护护水平高,使该器件非常适合用于 USB 2.0应用. 6 特征特征 低电容(0.3 pF典型之间I / O线和地线) 1 4 5 IEC 61000-4-2 4级 UL阻燃等级94 V-0 这些器件是无铅,符合RoHS标准 典型应用典型应用 高速通信线路防护护 USB 2.0高速数据线和电源线防护护 显示器和平板显示器 MP3 UDFN6 MU后缀后缀 千兆以太网 CASE 517AA 最大额定值最大额定值 (TJ = 25°C除非另有说明) 标记图标记图 等级等级 符号符号 值值 单元单元 工作结温范围 TJ −40 to +125 °C DM 峰值功率耗散 Ppk 100 W 8x20 ms@ TA = 25°C (注1) D =具体设备守则* (顺时针旋转90°) 峰值功率电流 Ipp 3.0 A 8x20 ms@ TA = 25°C (注1) M =日期代码及组装地点 存储温度范围 Tst −55 to +150 °C 无铅焊锡温度

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