MOSFET在DC-DC中的作用.pdfVIP

同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中 给出参数齐全的应用电路，但用户的使用条件经常与典型应用电路不同，要根据实际情况改变功率 MOSFET的参数。 对功率MOSFET的要求 同步整流降压式DC/DC转换器的输入及输出部分电路如图1所示，它是由带驱动MOSFET的控制器及外 接开关管(Q1)及同步整流管(Q2)等组成。目前，Q1和Q2都采用N沟道功率MOSFET，因为它们能满足 DC/DC转换器在输入电压、开关频率、输出电流及减少损耗上的要求。 图1 同步整流降压式DC/DC转换器的输入及输出部分电路简图 开关管与同步整流管的工作条件不同，其损耗也不一样。开关管有传导损耗(或称导通损耗)和栅极 驱动损耗(或称开关损耗)，而同步整流管只有传导损耗。 传导损耗是由MOSFET的导通电阻RDS(on)造成的，其损耗与i2D、RDS(on)及占空比大小有关，要减少 传导损耗需要选用RDS(on)小的功率MOSFET。新型MOSFET的RDS(on)在VGS=10V时约 10mΩ左右，有 一些新产品在VGS=10V时可做到RDS(on)约2～3mΩ。 栅极驱动损耗是在开