半导体企业职业危害控制（）.pptVIP

半导体企业职业危害控制 半导体产品发展 台湾半导体企业 据中国台湾媒体报道，2013年台湾半导体的产量将超过美国成为全球第二大微芯片供应基地。2012年台湾制造的半导体在全球的市场份额将占到18%仅低于日本，日本的市场份额为24%。 自2000年以来，储存芯片和合同芯片制造已经成为台湾半导体行业的中流砥柱。 台湾和韩国12英寸晶圆的产量在全球最高。2013年底台湾有26座可量产300mm的晶圆厂。整体300mm的产能预计在2013年将超过每月100万片的晶圆产量。 半导体工业简介 集成电路的生产 主要可分为三个阶段 (1)晶圆(wafer)的制造 (2)集成电路的制作 (3)集成电路的封装及测试 半导体流程图 半导体制作流程图 半导体厂洁净车间 主要工艺简介 光刻(lithographic process) 物理气相沉积(physical vapor deposition) 化学气相沉积(chemical vapor deposition) 蚀刻(ething) 扩散(diffusion) 离子注入(ion implantation) 氧化(oxidation) 金属化(metallization) 薄膜工程 金属氧化半导体(metal oxide semiconductor, MOS)主要是由层数不同且材质厚度均不相同的薄膜所组合而成。而将这些薄膜覆盖在芯片表面所需要的技术，便是所谓的薄膜沈积(thin film deposition)及薄膜成长(thin film growth)等技术，所谓”沉积”是指薄膜形成过程中，并不消耗芯片或底材的材质，而”成长”则专指底材的表面材质，也是薄膜形成的部份元素之一。 薄膜工程潜在危害(PVD和CVD) 刺激性及有毒气体，金属熏烟及氧化物的吸入，酸、碱溶液，电离及射频辐射，噪声及人机工程等危害。此外工艺中使用SiH4等自燃性气体（phrophoric gas），若发生泄漏或系统故障，则可能会引起火灾爆炸等危险。 光刻工程潜在危害 这一工艺用到大量的光阻剂(solvent-based photoresists)、显影剂(developers)及去光阻剂(strippers)，亦有使用到部份的酸及碱液，常用有机溶剂有n-butyl acetate、xylene、acetone、1,1,1-trichloroethane及glycol ethers等，另有紫外线曝露、臭氧、各机台所产生的噪声及人机工程等危害。 蚀刻工程潜在危害 湿式蚀刻常用的酸液有H2SO4、HF、HCl、H3PO4、CH3COOH、HNO3及CrO3等，由于它们的腐蚀性会造成皮肤、呼吸系统的危害，干式蚀刻由于在真空中游离气体，使用到高能量的电浆，因此会有射频辐射(RF radiation)的危害，反应气体如CCl3F、CF4、CHF3、C2F6、SiF4、CCl4及BF3在反应器中虽不至产生危害，却可在泵浦油(pump oil)及nitrogen trap中发现许多氯化物及氟化物，当进行trap保养时会造成皮肤及呼吸系统的危害，此外其它危害有刺激性气体、有毒气体及人机工程等危害 扩散工程潜在危害 酸碱溶液、有机溶剂、刺激性及有毒气体、火灾燃烧、高温灼伤及人机工程等危害，另各种机台密集，所产生的噪声危害，亦应小心加以注意。 离子注入工程潜在危害 类似干式蚀刻所产生的危害，在高能量的离子源下会有电击及X射线辐射危害发生，如在钢瓶或管路更换反应所使用的气体(toxic gas)，在意外泄漏时会产生危害。 氧化工程潜在危害 在高温下使用到O2或O2/H2O2，故主要为爆炸及火灾的危害，大部分的高温炉使用红外辐射(infrared)及高频辐射RF(radio frequency)加热，此二者亦会造成危害。 金属化工程潜在危害 相较于上述工程，有较少的潜在危害，可能有高电压(5～10kV)、少量的X射线辐射及射频辐射(RF radiation)等危害。 半导体制造常用酸液潜在健康危害 1.醋酸：具剌激性 2.盐酸: 对皮肤、呼吸系统、眼具刺激与腐蚀性 3.硝酸：对皮肤、呼吸系统、眼等具刺激与腐蚀性 4.磷酸: 对皮肤、上呼吸道、眼等具刺激 5.硫酸：对皮肤具剌激与腐蚀性 6.氢氟酸：其强腐蚀性引起溃疡及骨骼伤害 半导体制造常用溶剂的潜在健康危害 1.丙酮:高浓度导致失去意识 2.正硅酸乙酯：贫血、巨红血球症 3.乙酸正丁酯:头痛、呼吸系统刺激 4.过氧化氢:对皮肤、呼吸系统、眼具刺激性与腐蚀性 5.缓冲液BOE（NH4F与HF的混合物）：对眼、鼻、呼吸道具剌激性并引起中毒症状 半导体制造常用溶剂的潜在健康危害 6.异丙醇:微毒类，其蒸气对眼及呼吸道粘膜有刺激作用，主要对中枢神经系统有麻醉作用 7.三氯乙烯:中枢神经受损