锁定放大器和Pn结杂质测量.pdfVIP

锁定放大器的使用及P-n结杂质分布测量 p-n 结的杂质分布对半导体器件（如光敏二极管、LED 等）的特性有很大影响，控制 p-n 结的杂质分布是制造半导体器件的重要课题。检测 p-n 结的杂质分布对改进制造工 艺，了解器件性能是必要的。通过测量不同反向偏值电压下的 p-n 结势垒电容，可以方便 地测得单边突变 p-n 结轻掺杂一边的杂质浓度及分布。 锁定放大器（Lock-in Amplifier ）是一种用相干检测方法测量微弱信号的检测仪器。 它能在强噪声背景下，提取周期信号的幅度和相位值，但不能复现信号的波形。微弱信 号测量就是要克服背景噪声，提取有用信号。 实验目的 1． 了解锁定放大器的原理、主要参数。学会锁定放大器的基本操作。 2 ． 了解半导体器件的结电容对器件性能的影响。 3 ．用 C~V 法测量 p-n 结轻掺一边的杂质浓度及分布。 实验原理 1．p-n结势垒电容与杂质浓度的关系 当p-n 结一边的杂质比另一边浓得多，即 NAND 。NA 是受主杂质密度，对应 p 型半 导体；ND 是施主杂质密度，对应 n 型半导体。这样的 p-n 结为单边突变结，浅扩散法常 用它作近似。单边突变结的 n 边和 p 边宽度关系为 x x ，因此，总空间电荷区的宽度 n p w ≈x 。即电势的变化几乎都落到轻掺杂的n 区，而重掺杂一边的p 区可以忽略。这样， n 空间电荷区宽度和偏压 VR 的关系仅与轻掺杂浓度ND 有关 2εε w ( V 0 )V + （1） D R qND 其中ε为相对介电常数，对于硅ε=11.8，ε0 是真空介电常数，q 为电子电荷，VD 是 p-n 结的接触电势差。这时，p-n 结每一边的存贮的电荷 Q 与空间电荷区宽度 w 成正比 QA qAN w A q V V N 2 ( ) εε + D D R0 D 其中 A 为 p-n 结的结面积。单位面积的 p-n 结势垒电容 q N C dQ εε0 D εε0 （2 ） A V2dV( V ) w + R D R 上式表明，当偏压改变量ΔVR 足够小时，空间电荷区的电荷改变量 A ΔQ 与ΔVR 成 正比，其比值即为 p-n 结势垒电容 C 。这和一个平行板电容器有相似之处，电容值正比于 p-n 结的结面积 A ，反比于空间电荷区的宽度w 。当p-n 结上外加偏压增加ΔVR 时，空间 电荷区的宽度将增加Δw ，原来在这Δw 层内的载流子（n 区的电子，p 区的空穴）将流 走，形成放电电流，使空间电荷量增加 A ΔQ 。而当偏压减小ΔVR 时，通过放电电流使 载流子填充到Δw 层内，分别中和 n 区这一层的电离失主的正电荷