氮化镓MOSFET在LLC电路上应用 96%效率.pdfVIP

氮化镓的特性介绍 LLC是典型软开关电路。因为开关损耗本来就很小，氮化镓 在此电路上改变的是‘死区时间’。时间越小，损耗越小，使 用死区可调的IC即可 上下管交合的时间 硅材料FET 氮化镓 硬开关电路上的Vds开关损耗对比，氮化镓有明显优势 但LLC是软开关，这部分电路上损耗几乎一样。 Fs=Fo 传统的高压硅材料MOSFET，COOL-MOSFET一般保能工作在低频。高频特性变差很多。主 要损耗加大发热问题。 但氮化镓支持工作在高频同时没有带来多少损耗的加大。频率提高电路板子体积变小，成本 降低，同时效率会提高1%以上。 氮化镓FET与Cool‐Mosfet对比 等同Rds(on)对比,相同条件 Cool mosfet 氮化镓FET Parameters IPA60R160C6 TPH3006PS ⁰ Static VDS 600V @ 25  C 600V (spike  rating 750V) ⁰ RDS (25  C) 0.14/0.16 ohm 0.15/0.18 ohm Qg 75 nC 6.2 nC 更低的驱动损耗100mA驱动电流即可 Qgd 38 nC 2.2nC 更低的米勒效应/更低的开关损耗 Dynamic Co(er)  66 pF [1] 56 pF [1] Co(tr)  314 pF [1] 110 pF [1] 更小的死区时间 Reverse  Qrr 8200 nC [2] 54 nC [3] 更小的反向恢复损耗 Operation trr 460 ns [2] 30 ns [3] 更小的反向恢复时间 Qg 门极驱动电流大小 Qgd 与工作的Vds 的开关波形有关。越小振荡越小，EMI更好 Co  电容越小，工作中的死区时间可以做到越小，损耗就会越低 Qrr 体内寄生二极管参数，越大表示发热越大. 氮化镓的反向恢复速度Trr只有30n,远小于Cool‐mos,所以对应的Qrr更小 如右图说明，面积越大发热越大 Qrr 500K Hz 300W, LLC 400VDC输入12V输出， （体积9cm*3cm) 无散热片 Parameters Value Parameters Value Vin(V) 400 Vo(V)/IO(A) 12/25 Transformer 16:1 Fs(kHz) 500 Turn Ratio