FPD第二章 发光学基本原理3.pdfVIP

2.5 发光动力学 1. 分立中心的驰豫 分立中心的能级可用孤立 能级来表示。 如果发光中心数为n ，当激 发停止时，处于激发态的 电子将返回基态，这个过 程包括辐射跃迁和无辐射 跃迁，其几率分别为A 和 分立中心的跃迁图 W 。 nr 发光中心的速率方程  dn/dt = -(A +Wnr) n  n = n0exp [-(A+Wnr)t]  I(t) = ħAn = I0exp(-t/)  其中：= 1/(A+W ) ；I = ħAn nr 0 0 ：发光的寿命。 分立中心的发光是以指数形式衰减的。 2. 复合发光的弛豫 N: 陷阱总数 n : 导电电子浓度 c n : 陷阱电子浓度 t p: 空穴浓度 a: 电子由陷阱释出几率 b: 电子被陷阱俘获几率 在绝缘体，激发的电子和空穴数目相等 nc + nt ＝p 激发停止后，电子和空穴的衰减方程 d nt/dt = -an +b(N-nt) n t c dp/dt =- pnc 因为nc很小，p nt ，由dnt/dt = dp/dt n = ant /[nt+(b/)(N-nt)] c dnt/dt = -ant2/[nt+(b/)(N- nt)] 讨论两种情况： (i) b ,即电子一旦由陷阱中释放出来，就不会再 被捕获进陷阱。 d nt/dt = -ant nt ∝exp(-at) I(t) ＝I0exp(-at) 指数衰减 (ii) b ＝时，也就是指陷阱和发光中心对自由电子 俘获程度相同。 dnt/dt = -(a/N) nt2 nt = nt0/[1+(a nt0/ N) t] I(t) ∝dp/dt = dnt/dt = I0/(1+t)2 幂函数衰减。 3. 热释发光和光致释光 杂质和缺陷在基质的带隙中形 成较深的局域能级。其中的某些 较深，在常温下处于亚稳状态， 可以作为导带电子或者价带空穴 的陷阱。 陷阱的这种性质，一方面能够 对带间复合进行某种调制，另一 方面可以把激发的信息存储起 来。 如果对材料进行某种刺激，例 热释发光和光致释光过程 如光照或加热，陷阱中俘获的电 子或空穴可以重新被释放出来， 并复合发光。 3. 热释发光和光致释光  释光过程主要包括三个过程 ① 激发-材料吸收能量，电子被激发到导带，并被 陷阱T俘获，同时价带中的空穴被发光中心L俘 获，于是电子陷阱和发光中心分别被荷电载流 子填充； ② 存储-发光中心上的空穴和电子陷阱中的电子在 激发下不断积累和存储； ③ 在加热或光照刺激下，电子多陷阱被释放到导