第2章 热平衡时的能带和载流子浓度03.pptVIP

第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 半导体器件物理 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 半导体器件物理 Semiconductor Physics and Devices 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 热平衡状态：恒温下的稳定状态，且无任何外来干扰（如照光、压力或电场）。恒温下，连续的热扰动造成电子从价带激发到导带，同时在价带留下等量的空穴。当半导体中的杂质远小于由热产生的电子空穴时，此种半导体称为本征半导体。 2.6 本征载流子浓度 将N(E)F(E)由导带底端EC积分到顶端Etop： 其中，n的单位是cm-3，N(E)是单位体积的能态密度；F(E)是费米-狄拉克分布函数，即费米分布函数，一个电子占据能级E的能态几率。 导带电子浓度计算 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 费米分布函数可近似为： 统计力学，费米分布函数为 其中，k是玻尔兹曼常数；T是绝对温度，单位为开；EF是费米能级，电子占有率为1/2时的能量。 ≈ ≈ 0.5 500K 300K 100K F(E) -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 F(E)在费米能量EF附近呈对称分布。 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 经数学推导可得，导带中的电子浓度为 其中，NC是导带中的有效态密度。 同理，价带中的空穴浓度为 室温下（300K），对Si而言NC、NV的数量级为1019cm-3，GaAs则为1017~1018cm-3。 其中，NV是价带中的有效态密度。 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 本征载流子浓度ni：本征半导体，导带中每单位体积的电子数与价带中每单位体积的空穴数相同，即n=p=ni。 本征费米能级Ei：本征半导体的费米能级EF。 则： 因此，室温下，本征半导体费米能级Ei相当靠近禁带中央。 令 Eg（室温） 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 其中，Eg=EC-EV。室温时，硅的ni为1010cm-3量级，砷化镓的ni为106cm-3量级。上图给出了Si及GaAs的ni对于温度的变化情形。Eg越大，ni越小；温度越高，ni越大。 即： 最终： 所以： 由于 本征载流子浓度ni/cm-3 Si GaAs 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 非本征半导体：当半导体被掺入杂质时，半导体变成非本征的，而且引入杂质能级。 施主杂质（As），n型半导体 2.7 施主与受主 ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋5 As ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si 导电电子 ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si ＋3 B ＋4 Si ＋4 Si ＋4 Si 空穴 受主杂质（B），p型半导体 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * Sb P As Ti C Pt Au O A A D D D 1.12 B Al Ga In Pd Si S Se Sn Te Si C O D 1.12 Be Mg Zn Cd Si Cu Cr GaAs A 右图是对含不同杂质的Si及GaAs所推算得到的电离能。单一原子中有可能形成许多杂质能级。 氢原子模型计算施主电离能ED，模型中m0及ε0分别以mn和半导体介电常数εs取代，用来粗略推算浅层杂质能级ED大小。 一般用ED表示施主能级，EA表示受主能级。 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 非简并半导体：电子或空穴的浓度分别远低于导带或价带中有效态密度，即EF至少比EV高3kT，或比EC低3kT。这是在前面的数学推导中满足的假设条件。 对于Si及GaAs的浅层施主，室温下的热能就能提供所有施主杂质电离所需的ED，因此可在导带中提供与施主杂质等量的电子数。此情形称为完全电离，如右图。此时电子浓度为 施主 离子 2.7.1 非简并半导体 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 施主浓度越高，能量差（EC-EF）越小，即EF往EC靠近。同样地，受主浓度越高， EF往EV靠近。 同样，对浅层受主能级，假使完全电离，则空穴浓度为p=NA 。 受主离子 由 和 由 和 第2章 热平衡时的能带和载流子浓度 * 下面用ni及Ei来表示电子及空穴浓度，因为Ei常被用作讨论非本征半导体时的参考能