电子技术112 半导体二极管的结构和类型.doc

电子技术112 半导体二极管的结构和类型 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 模拟电子技术基础 1.1 半导体二极管 阳极引线 铝合金小球 PN结 PN结 触丝 1.1.2 半导体二极管的结构和类型 引线 外壳 N型锗片 型锗片 N型硅 型硅 金锑合金 底座 阴极引线 点接触型 平面型 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 半导体二极管的外型和符号 正极 正极 负极 负极 外型 上页 符号 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 半导体二极管的类型 硅管 (1) 按使用的半导体材料不同分为 锗管 平面型 (2) 按结构形式不同分为 点接触型 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 1.1.3 半导体二极管的伏安特性 uD iD 正向特性 正向特性 0 反向特性 0. 8 反向特性 击 穿 特 性 0 0. 8 锗管 硅管 下页 返回 上页 模拟电子技术基础 1．正向特性 ． (1) 近似呈现为指数曲线，即 近似呈现为指数曲线， iD 正向特性 死区 电压 (2) 有死区（iD≈0的区域) 有死区（ 的区域) 的区域 死区电压约为 硅管0.5 硅管 V 锗管0.1 锗管 V 上页 下页 击穿电压 U (BR) O uD 反向特性 返回 模拟电子技术基础 (3) 导通后（即uD大于死区电压后） 导通后（ 大于死区电压后） iD 略有升高， 急剧增大 增大。 即 uD略有升高， iD急剧增大。 硅管0.6~0 .8 V 硅管 管压降u 管压降 D 约为 O 正向特性 死区 电压 锗管0.2~0.3 V 锗管 硅管0.7 硅管 V 锗管0.2 锗管 V uD 击穿电压 U (BR) 反向特性 通常近似取u 通常近似取 D 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 2．反向特性 ． (1) 当 时， 硅管小于 微安 硅管小于0.1微安 小于 I S= 锗管几十到几百微安 锗管几十到几百微安 击穿电压 U (BR) 。 iD 正向特性 死区 电压 O uD 反向特性 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 (2) 当 时， iD 反向电流急剧增大， 反向电流急剧增大， 二极管发生反向击穿。 二极管发生反向击穿。 正向特性 死区 电压 O 击穿的类型 电击穿 根据击穿可逆性分为 热击穿 uD 击穿电压 U (BR) 反向特性 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 电击穿 二极管发生反向击穿后， 二极管发生反向击穿后，如果 a. 功耗 D( = |UDID| )不大 功耗P 不大 b. PN结的温度小于允许的最高结温 结的温度小于允许的最高结温 锗管75∽ 锗管 ∽100oC 降低反向电压，二极管仍能正常工作。 降低反向电压，二极管仍能正常工作。 热击穿 PN结被烧坏，造成二极管永久性的损坏。 结被烧坏，造成二极管永久性的损坏。 结被烧坏 上页 下页 返回 硅管150∽200oC ∽ 硅管 模拟电子技术基础 (3) 产生击穿的机理 a. 齐纳击穿 半导体的掺杂浓度高 条件 空间电荷层中有较强的电场 击穿的机理 电场将PN结 电场将 结中的价电子从共价键中激发出来 击穿电压低于4V 击穿电压低于 击穿的特点 击穿电压具有负的温度系数 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 b. 雪崩击穿 半导体的掺杂浓度低 条件 空间电荷区中就有较强的电场 击穿的机理 电场使PN结中的少子“碰撞电离” 电场使 结中的少子“碰撞电离”共价键中的价电子 结中的少子 击穿电压高于6V 击穿电压高于 击穿的的特点 击穿电压具