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半导体物理与器件;1.2 C-V特性 本节内容;1.2 C-V特性 什么是C-V特性;1.2 C-V特性 理想MOS电容C-V特性;1.2 C-V特性 堆积状态;1.2 C-V特性 平带状态;1.2 C-V特性 耗尽状态;1.2 C-V特性 强反型状态;1.2 C-V特性 反型层电荷来源;1.2 C-V特性 强反型状态(低频);1.2 C-V特性 反型状态(高频);1.2 C-V特性 n型与p型的比较;1.2 C-V特性 氧化层电荷的影响;1.2 C-V特性 界面陷阱的分类;*;*;*;1.2 C-V特性 需掌握内容;1.3 MOSFET原理 本节内容;1.3MOSFET原理 MOSFET结构;1.3MOSFET原理 MOSFET结构;1.3 MOSFET原理 MOSFET分类(1) ;1.3 MOSFET原理 MOSFET分类(2);1.3 MOSFET原理 MOSFET分类(3) ;1.3 MOSFET原理 MOSFET分类(4);1.3MOSFET原理 VGS的作用;1.3 MOSFET原理 VDS的作用;1.3 MOSFET原理 IV特性;1.3 MOSFET原理 ID随VDS的变化(1);1.3 MOSFET原理 ID随VDS的变化(2);1.3 MOSFET原理 ID随VDS的变化(3);1.3 MOSFET原理 ID随VDS的变化(4); 1.3 MOSFET原理 转移特性曲线;1.3 MOSFET原理 输出特性曲线;1.3 MOSFET原理 输出特性曲线簇;1.3 MOSFET原理 需掌握内容;1.3 MOSFET原理 I-V特性:结构模型;1.3 MOSFET原理 I-V特性:基本假设;1.3 MOSFET原理 I-V特性:电中性条件;高斯定理;1.3 MOSFET原理 I-V特性:氧化层电势;1.3 MOSFET原理 I-V特性:反型层电荷与电场;1.3 MOSFET原理 I-V特性:沟道电流;1.3 MOSFET原理 I-V特性:沟道电流;1.3 MOSFET原理 I-V特性:线性区与饱和区;1.3 MOSFET原理 I-V特性:影响漏极电流Id的因素;1.3 MOSFET原理 μ和VT的测试提取方法;1.3 MOSFET原理 p沟增强型MOSFET的I-V特性;1.3 MOSFET原理 跨导:模型;1.3 MOSFET原理 跨导:表达式;1.3 MOSFET原理 跨导影响因素;1.3 MOSFET原理 跨导影响因素:RS、RD的影响 ;1.3 MOSFET原理 跨导:提高途径;1.3 MOSFET原理 (沟道电导)漏导:模型;1.3 MOSFET原理 漏导:影响因
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