微电子工艺.docxVIP

TSV封装技术学 院 电子与信息学院 0专 业 微电子学与固体电子学0学生姓名 詹静糠1学生学号 201520108379指导教师 李国元老师0摘要：3D-TSV封装技术是实现多功能、高性能、高可靠且更轻、更薄、更小的系统级封装最有效的技术途径之一。3D-TSV封装关键技术包括：通孔制作、通孔薄膜淀积、磁控溅射、通孔填充、铜化学机械研磨、超薄晶圆减薄、芯片/晶圆叠层键合等。本文阐述了TSV技术的发展、技术优势、主要技术环节、难题及挑战并做了总结及展望。关键词：TSV；通孔；键和；晶片减薄 前言自1965年“ 摩尔定律 ”提出以来，微电子器件的密度几乎沿着“ 摩尔定律 ”的预言发展。到了今天, 芯片特征尺寸达到22nm，再想通过降低特征尺寸来提高电路密度不仅会大幅提高成本，还会降低电路的可靠性。为了提高电路密度，延续或超越“ 摩尔定律 ”, 微电子制造由二维向三维发展成为必然。其方法之一就是将芯片堆叠以后进行封装, 由此产生了三维电路封装技术（3D IC packaging）。三维电路封装技术中, 芯片电极是通过金线键合的技术来实现电路的导通。随着芯片叠层的增加，键合金线将占用大量的空间。同时由于连接的延长使得电路能耗升高、速度降低。因此, 业界需要一种方法, 能够使得硅芯片在堆叠的同时实现电路的导通，从而避免采用硅芯片以外的线路