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集成电路与元器件卷 ……····●●●●●●●
C and
COmPOnent
Gate andStructure ofPowerMOSFET
ChargeAnalysis Improvement
Cao-fei，XiangJun-li，
衡草飞，向军利， Heng
李肇基，张波，罗萍 LiZhao-ji，ZhangBo，LuoPing
ofElectronicScienceand
(ic Center，University
(电子科技大学IC设计中心， Design
of 61
成都610054) TechnologyChina，Chengdu0054，China)
摘要：本文从驱动电路设计者的角度对mS器件的输入电容和密勒电容进行了详细分析，并从器件基本原
理上，对决定栅电荷的寄生元件在不同的栅电压下对栅电荷的作用进行了系统的阐述。最后总结了当前国际
上为降低栅电荷提出的最新№S器件结构。
关键词：栅电荷；输入电容；密勒电容；分析；改进
中图分类号：T№53 文献标识码：A 文章编号：1003-0107(2004)09-0059-04
the andmiller ofMOSFETfromthe ofdrivecircuit
Abstract=Thisanalyzes capacitance
paper input standpoint designer．
the to onthesemiconductordevice summarywhichisabout
Explainparasiticexponents’actiongatechargebasing physics．A
thelatestdevice inthewoddforlow isshownattheendofthis
improvement gatecharge paper．
words=Gate
Key charge；Inputcapacitance；Milercapacitance；Analysis；Improvement
code：A
CLChumbar=TM653Document ArticleID：1003—0107(2004)09．0059—04
1．引言 的输入电容(C。。)，输出电容(c。)，
栅电荷是比输入电容更有用的参 反向电容(e～)的典型值作为电路设
计工程师决定电路元件的依据。
数，因从电路设计的角度，由Qg=，gf f玎
七I囟{j M，。。。 上三电容分别定义如下：
可得到使器件在理想
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