第五章 存储器和其接口技术.pdfVIP

计算机原理与应用计算机原理与应用 第五章 存储器及其接口技术 李海 haili@bit.edu.cn 北京理工大学 信息与电子学院 第五章 存储器及其接口技术 5.1 存储器概述 5.2 存储器主要性能指标 5.3 只读存储器 5.4 随机读写存储器 5.5 微型机系统的存储器体系结构 5.6 存储器应用设计 5.1 存储器概述 微型机存储器分类： 按在系统中位置：内部存储器、外部存储器； 按制造工艺：双极型、MOS、铁电； 易失性：非易失性、易失性； 可读写性：只读存储器(ROM)、可读写存储器； 读写顺序：顺序读写存储器、随机存储器(RAM)； 动态/静态，异步/ 同步，串行/并行…… 半导体存储器行列结构 5.2 存储器主要性能指标 1 存储容量 (memory size)  存储容量是指存储器芯片中所包含的存储单元（Memory cell） 数。半导体存储单元通常以字节为单位，人们通常说的存储 单元都是指的字节单元。 2 速度/存取时间(Access time)  存取时间是存储器的最重要的性能指标，是读写存储器中某 一存储单元所需时间，一般指存储器接收到稳定地址信号到 完成操作的时间。 存储器主要性能指标 3 易失性 (volatile)  断电后存储内容是否丢失。  volatile; nonvolatile 4 只读性 (read only)  ROM read only memory;  RAM random access memory; 5 功耗 (power) 5.3 只读存储器 掩膜ROM: mask programmed ROM; 可编程ROM: Programmable ROM, PROM; 可擦除的PROM: Erasable PROM, EPROM; 电擦除的PROM: Electrically Erasable PROM, 2 E PROM/EEPROM; 闪烁存储器FLASH, NOR flash/NAND flash; 串行EEPROM 只读存储器ROM 掩膜ROM: mask programmed ROM  厂商根据用户数据刻录固定数据到ROM中；无法修改。 可编程ROM: Programmable ROM, PROM  用户按需要一次性写入数据，无法反复修改。 可重复擦写的只读存储器EPROM  EPROM信息的存储是通过电荷分布来决定的，编程过程就是 电荷注入的过程，编程结束后撤除电源，但由于绝缘层包围， 注入的电荷无法泄漏，存储信息不会丢失。  擦除信息时，利用紫外线照射芯片上方的石英玻璃窗口，浮 栅中的电荷会形成光电流泄漏，，内部的电荷分布被破坏， 使电路恢复为初始状态。 EPROM INTEL公司的EPROM  2716 ，2732 ，27128 ，27256 ，27512 ，它们的存储容量 分别为2K、4K、16K、32K、64K，Byte；  它们之间的管脚排列有一定兼容性。  尽管这些芯片的容量不同但其工作原理及读写方式基本相 同，下面以INTEL27128为例，介绍EPROM的主要特性。 EPROM-27128 EPROM EPROM: read EPROM: program EEPROM 2 电擦除编程只读存储器E PROM 2 E PROM的工作原理与EPROM类似，它是 在EPROM基础上改进而形成一种新技术产 品。 2 E PROM的擦除不需要专用的擦除器，擦除 和编程均可以在线完成。 E2PROM  以INTEL2816为例说明E2PROM的基本特点和应用 方法。  2816的基本特点 – 2816是容量为2K ×8bit的电擦除PROM，它的管