贰、科专可移转技术清册.PDF

貳、科專可移轉技術 清冊 45 項 計畫 技術 技術現況 技術可應用 聯絡 產出 領域 技術規格 電話 次 名稱 名稱 敘述 範圍 人員 單位 大面積RTP 可線性 採用DSMC分析噴嘴設計及 在光電、綠 硒/硫化製 1 線性噴嘴。2.可應用於大面積蒸鍍 03- 綠能 蒸鍍之 鍍膜膜厚均勻性，採用噴嘴 能、軟性電 潘文 飛彈 1 程技術暨 系統。3.較少之材料耗損。4.高均勻 4712201 科技 蒸鍍設 設計預估得料率≧50%，非 子等產業相 玨 所 設備自主 性蒸鍍技術。 #352013 備噴頭 均勻度≦5%。 關研究領域 。 開發計畫 30cm捲軸三階段CIGS線性蒸 鍍製程設備系統規格，包括 ： (1)運轉測試：全機真空-操作 整合蒸鍍機台創新技術設計，包含減 真空 5×10-6 torr以下，製程 軟性太 熱模組、主動輪驅動等速以及放收料 真空 10-4 torr以下；基板加 陽能電 提供張力控制技術、放收料隔絕硒蒸 大面積RTP 熱溫度550℃±1%；尋邊控制 池光吸 氣影響、三階段蒸鍍CIGS佈置及製 在光電、綠 硒/硫化製 (±0.5cm )；捲軸速度控制 03- 綠能 收層之 程程序、真空循邊技術、全系統模組 能、軟性電 潘文 飛彈 2 程技術暨 20±1cm。(2)銅銦鎵硒三階鍍 4712201 科技 製程設 化設計。開發線性蒸鍍模組，包含可 子等產業相 玨 所 設備自主 蒸鍍化合測試：維持銅銦鎵 #352013 備及其 高溫裂解硒之蒸氣模組、硒汙染防治 關研究領域 。 開發計畫 硒之溫度穩定性Cu溫度可達 製造方 cold trap設計、金屬線性蒸鍍模組等； 1500℃ ±1℃、In 溫度可達