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第5章  存储系统 §5.1 概 述 半导体存储器 存储器是计算机中用来记录信息的设备。由能够表示二进制数“0”和“1”的、具有记忆功能的一些物理器件组成。 能存放一位二进制数的物理器件称为一个存储元。 若干存储元构成一个存储单元。 存储器的层次结构 由上至下容量越来越大，速度越来越慢 内存储器的分类 内存储器 主要技术指标 存储容量 存取时间和存取周期 平均故障间隔时间（MTBF）（可靠性） 功耗 CPU读写存储器的时间必须大于存储芯片的 额定存取时间 §5.2 随机存取存储器 要求掌握： SRAM与DRAM的主要特点 几种常用存储器芯片及其与系统的连接 存储器扩展技术 一、静态存储器SRAM 特点： 存储元由双稳电路构成，存储信息稳定 典型SRAM芯片 CMOS RAM芯片6264： 主要引脚功能 工作时序 与系统的连接使用 SRAM 6264芯片( ) 6264外部引线图 6264的工作过程 写操作 6264芯片与系统的连接 全地址译码 用全部的高位地址信号作为译码信号，使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。 全地址译码例 所接芯片的地址范围： F0000H~F1FFFH 部分地址译码 用部分高位地址信号（而不是全部）作为译码信号，使得被选中得存储器芯片占有几组不同的地址范围。 下例使用高5位地址作为译码信号，从而使被选中芯片的每个单元都占有两个地址，即这两个地址都指向同一个单元。 部分地址译码例 两组地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH 应用举例 将SRAM 6264芯片与系统连接。 要求： 使其地址范围为：38000H~39FFFH。 使用74LS138译码器构成译码电路。 应用举例 二、动态随机存储器DRAM 特点： 存储元主要由电容构成，由于电容存在的漏电现象而使其存储的信息不稳定，故DRAM芯片需要定时刷新。 典型DRAM芯片2164A 2164A：64K×1bit 采用行地址和列地址来确定一个单元； 行列地址分时传送， 共用一组地址信号线； 地址信号线的数量仅 为同等容量SRAM芯 片的一半。 2164A芯片 主要引线 RAS：行地址选通信号。用于锁存行地址； CAS：列地址选通信号。 地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们 分别在RAS和CAS有效期间被锁存在锁存器中。 DIN： 数据输入 DOUT：数据输出 工作原理 数据读出 数据写入 刷新 参见其工作时序图 2164A的工作过程 读操作 写操作 刷新 将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程---------刷新 刷新操作时序 2164A在系统中的连接 三、存储器扩展技术 位扩展 存储器的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。 位扩展例 用8片2164A芯片构成64KB存储器。 位扩展方法： 将每片的地址线、控制线并联，数据线分别引出。 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。 字扩展 地址空间的扩展。芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。 扩展原则： 每个芯片的地址线、数据线、控制线并联，仅片选端分别引出，以实现每个芯片占据不同的地址范围。 字扩展例 用两片64K×8位的SRAM芯片构成容量为128KB的存储器 字位扩展 根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数； 进行位扩展以满足字长要求； 进行字扩展以满足容量要求。 若已有存储芯片的容量为L×K，要构成容量为M ×N的存储器，需要的芯片数为： （M / L） ×（N / K） 字位扩展例 用Intel 2164构成容量为128KB的内存。 §5.3 只读存储器（ROM） 一、EPROM 特点： 可多次编程写入； 掉电后内容不丢失； 内容的擦除需用紫外线擦除器。 EPROM 2764 8K×8bit芯片，其引脚与SRAM 6264完全兼容： 地址信号：A0 ~ A12 数据信号：D0 ~ D7 输出信号：OE 片选信号：CE 编程脉冲输入：PGM 2764的工作方式 二、EEPROM 特点： 可在线编程写入； 掉电后内容不丢失； 电可擦除。 典型EEPROM芯片98C64A 8K×8bit芯片； 13根地址线（A0 ~ A12）； 8位数据线（D0 ~ D7）； 输出允许信号（OE）； 写允许信号（WE）； 选片信号（CE）； 状态输出端（READY/BUSY）。 工作方式 数据读出 编程写入 擦除 EEPRO