第六章激光器的模式选择和调制技术.ppt

外调制 1、电光调制 有两种调制中常用的电光效应，一种是折射率的变化量与外电场强度的一次方成比例，称为泡克耳斯（Pockels）效应；另一种是折射率的变化量与外电场强度的二次方成比例，称为克尔（Kerr）效应。利用克尔效应制成的调制器，称为克尔盒，其中的光学介质为具有电光效应的液体有机化合物。利用泡克耳斯效应制成的调制器，称为泡克耳斯盒，其中的光学介质为非中心对称的压电晶体。泡克耳斯盒又有纵向调制器和横向调制器两种。 常用电光调制技术 电光调制原理 纵向电光调制 nx’=no–1/2no3?63Ez ny’=no+1/2no3?63Ez nz’=ne 横向电光调制 x y y’ z x’ V 起偏器 检偏器 ?/4 x’ z y’ 检偏器 V 纵向电光调制原理 在x＇方向折射率比原来减小了1/2n03γ63Ez，而y＇方向的折射率则增加了1/2n03γ63Ez，如图20－18（b）所示。当沿z轴方向入射的线偏振光进入晶体后，即沿x＇、y＇方向分解为两个互相垂直的偏振分量。由于它们的折射率不同，则沿x＇方向振动的光传播速度快，称为“快光”；而沿y＇方向振动的光传播速度慢，称为“慢光”。则两束光经晶体（长度为L）后，将产生位相差Δψ，则有： 　　Δψ=2π/λ(nx＇?ny＇)L=2π/λn03γ63Ez＇L =2π/λn03γ63V　 ，当晶体上所加电压在0-Vλ／2之间连续变化时，其Δψ也就随着从0-π，则其合成振动的轨迹不断经历着从直线－椭圆－圆－椭圆－直线周而复始的连续变化。这种变化的偏振光通过检偏器A，即可得光强度的周期变化（强度调制）。光强与相位差的关系如图曲线所示。  透射率（I/Ii）随外加电压变化的光强调制特性曲线 I/Ii=sin2(1/2·2π/λ·n03γ63V)=sin2(π/2·V/Vπ) ?????????????????????????????????????????????????????????? 加λ/4波片的泡克耳斯盒示意图 ????????????????????????????????????????????? 泡克耳斯盒加λ/4波片与不加λ/4波片的区别示意图 a) 不加λ/4波片? b) 加λ/4波片 ? 泡克耳斯效应的时间响应特别快，能跟得上1010Hz的电压变化，而且φ与U成线性关系，所以多用泡克耳斯盒来作电光调制器。 横向电光调制器（磷酸氢钾类晶体第一种运用方式）的组成如图所示。主要由起偏器、调制晶体（45°-z切割）、检偏器等组成。 因为沿z轴方向外加电场，所以Ex=Ey=0,Ez=E，但因通光方向与z轴相垂直，并沿着 y’方向入射，则进入晶体后，将分解为沿 x’、z方向振动的二分量。 有： 　nx＇-nz=n0-1/2n03γ63Ez-ne　　 　　当通光方向上晶体长度为L，厚度为d，外加电压V=Ezd,则从晶体出射时的相位差为 横向电光调制原理 　　Δψ=2π/λ[(nx＇-nz)·L]=2π/λ[(n0-ne)·L-1/2n03γ63(L/d)V] 　　由上式可知，在横向运用时，光通过晶体后的相位差包括两部分：第一部分是与外电场无关，由晶体本身的自然双折射所引起的相位延迟，即上式中的第一项。它对调制器的工作没有什么作用，当温度变化时，还会带来不利影响，应设法消除。第二部分是外加电场作用产生的相位延迟，它与外加电压V和晶体的尺寸(L/d)有关，所以适当选择晶体的尺寸，可降低其半波压。一般横向调制器横向运用时其半波电压要低于纵向运用。 组合调制器进行温度补偿 自然双折射引起的相位差随温度改变 调制器一般需要做温度控制 为更好的减小温度漂移的影响常用组合调制器进行温度补偿 z z . x y’ x’ z . y’ z x’ ? ?/2 E E ? E? E? 尺寸 任何小于或等于φ3 尺寸公差 Z轴：±0.3mmX轴,Y轴:±0.1mm 倒角 小于0.5mm,45°±5° 晶向精度 Z轴:5X轴,Y轴:10 平行度 10 表面质量 10/5 平面度 λ/8at 632.8nm 镀膜 R0.2% @1064nm 波前畸变 λ/4 @633nm 消光比 400:1@633nm,φ6mm光束 ???????????????????????????????????????????????????????????????????? 铌酸锂LiNbO3 掺镁铌酸锂Mg:LiNbO3 ????????????????????????????? φ3铌酸锂 LiNbO3 晶片 光学级铌酸锂晶体(LiNbO3) 　　铌酸锂是非线性光学级晶体，广泛应用于参量振荡器、倍频、声光器件、光学调制器。MgO的掺入可有效提