甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究.pdfVIP

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2017-05-31 发布于湖北
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甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究

57 9 2008 9 Vol. 57, No. 9, September, 2008 10003290200857( 09)600205 ACTA PHYSICA SINICA 2008 Chin. Phys. Soc. * 郭学军卢景霄陈永生张庆丰文书堂郑文申陈海陈庆东 ( , 450052) ( 2007 1122 ; 2008 1 22 ) ( VHFPECVD) (cSi: H) , , . 075 nms , 55% . : , , PACC: 8115H, 7360F . 1引言 2. 实验 , . , , VHFPECVD , , , , 1 2 m. RFPECVD 1 s , . 75 MHz 14 28 h, , , . ; VHFPECVD , , , . ; pin . , 2006 , 12 nms[ 1] . PECVD , : 2004 , Jlich 11 nms Co xi l Power systems RFA 300Wb . 2 1 cm 98% ; ; [ 2] . 2006 AIST 23 nms 15 cm. ( UV 2 025 cm 913% 3100) ; ( Renish w [3] ; 2006 , 2000) , [ 8] 31 nms 25 ; Keithley 6517 2 [ 4] cm 85% . [5 7] . ; , 25 , 2 , AM 15 , 100 mWcm . * ( :200